ساخت و مشخصه یابی فیلم های نازک اکسید مس با استفاده از روش اکسیداسیون حرارتی جهت کاربرد در سلول خورشیدی
سال انتشار: 1398
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 298
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_BSET-2-6_006
تاریخ نمایه سازی: 28 آذر 1400
چکیده مقاله:
لایه های نازکی از اکسید مس با استفاده از روش اکسیداسیون حرارتی خشک در سه دمای مختلف ۷۰۰، ۸۰۰ و ۱۰۰۰ درجه سانتی گراد درون کوره تیوبی در اتمسفر کنترل شده گاز آرگون و اکسیژن، به منظور کاربرد در سلول خورشیدی رشد داده شدند. زمان لایه نشانی، ابعاد نمونه ها و دبی گاز ورودی در شرایط رشد هر سه نمونه یکسان در نظر گرفته شد و نمونه ها تحت آزمون های XRD و تعیین مقاومت سطحی به روش PP۴ قرار گرفتند. الگوی پراش پرتو ایکس نمونه ها نشان از افزایش ماده معدنی تنوریت بر اثر افزایش دما دارد. بررسی مقاومت الکتریکی نمونه ها نیز نشان می دهد که دمای رشد بالاتر منجر به افزایش مقاومت الکتریکی سطحی می شود.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
نجمه خضریان
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه حکیم سبزواری، سبزوار
محمدهادی شاهرخ آبادی
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه حکیم سبزواری، سبزوار
جواد باعدی
دانشکده فیزیک، دانشگاه حکیم سبزواری، سبزوار