طراحی تقویت کننده هدایت انتقالی توان پایین، ولتاژ پایین خودبایاس شونده با ترانزیستورهای فین فت

در این مقاله،یک تقویت کننده هدایت انتقالی ولتاژ پایین برای کاربردهای توان پایین با استفاده ازترانزیستورهای گیت مجزا فین فت طراحی و شبیه سازی شده است. در طراحی این مدار برای ایجاد ورودی با دامنه تا ولتاژ تغذیه از روش زوج شبه تفاضلی در طبقه ورودی و روش خودبایاس شونده استفاده شده است. از سوی دیگر با استفاده از فین فت گیت مجزا به جای سی ماس می توان پاسخ فرکانسی و بهره را بهبود بخشید بدون آنکه توان اضافی مصرف شود. در مدل فین فت استفاده شده به دلیل دارا بودن دو گیت مجزا، می توان از یک گیت برای بایاس ترانزیستور و از گیت دیگر برای اعمال ورودی استفاده نمود. این مدار برای جبران سازی فرکانسی از سیستم DFC بهره برده است تا میزان خازن های جبران سازی کوچک شوند. برای طراحی مدار تقویت کننده هدایت انتقالی از مدل فین فت ۲۰nm براساس مدل PTM استفاده شده است. در نهایت نتایج شبیه سازی با HSPICE مقدار بهره ۳۹.۲۷ dB، حاشیه فاز ۴۵.۰۵o و فرکانس بهره واحد ۸.۲۶ MHz به ازای خازن بار ۳ pF با توان تلفاتی نهایی ۳۷.۷۵ µW می باشد. مقدار ولتاژ DC خروجی نیز در ولتاژ تغذیه VDD=۰.۵ V برابر ۰.۲۶۹ V قرارداده شده است. 

کلیدواژه ها:

Low power ، Low voltage ، OTA ، Independent gate FinFET. ، توان پایین ، ولتاژ پایین ، تقویت کننده هدایت انتقالی ، فین فت گیت مجزا.