آثار کانال کوتاه ماسفت در مقیاس نانو

در دهه های اخیر به علت پیشرفت زیاد در الکترونیک طول کانال MOSFET ها به مقیاس دکا نانو و سرعت دو قطبی ها نیز بههزاران گیگاهرتز رسیده است.از زمانی که اولین ترانزیستور های اثر میدان فلز _ اکسید _نیم رسانا در سال ۱۹۶۰ با موفقیت ارائهشدند، به منظور تامین تقاضای روز افزون برای سرعت بالاتر و ابعاد کوچکتر و ارزانتر تا کنون تلاش های زیادی انجام شدهاست،کوچک سازی ترانزیستور ها بدون تغییر ساختاری با محدودیت و مشکلاتی همراه بوده است،از جمله از این موارد اثراتکانال کوتاه می توان اشاره نمود.در این مقاله به بررسی برخی آثار کانال کوتاه در ترانزیستور پرداخته شده است.

کلیدواژه ها:

، MOSFET ، اثر میدان ، دکا نانو ، آثار کانال کوتاه