بررسی و ارائه راهکار جهت کاهش جریان نشتی در ترانزیستور های نانوکربنی
محل انتشار: سومین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,460
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE03_284
تاریخ نمایه سازی: 18 مهر 1390
چکیده مقاله:
دراین تحقیق از مدلی ساده برای ارزیابی ترانزیستورهای نانوکربنی استفاده شده است در فصل اول سعی شده تا عملکرد مناسب درین ، سورس و گیت بررسی شود برای رسیدن به خصوصیاتمطلوب ترانزیستور شیب آستانه نزدیکبه محدوده گرمای یونی نسبت ON/OFF در حدود 3 10 جریان ON و میزان میزان رسانایی نزدیک به محدوده سطح مشترک تحقیق شده است سپس راه کارهایی جهت رفع محدودیت های موجوددر ترانزیستورهای نانوکربنی ارائه شده از جمله پیشنهاد ساختار جدید برای FET که باعث افزایش مشخصه خروجی در ناحیه اشباع می شود و نیز استفاده از اکسید گیت با ضخامت نامتقارن برای کاهش جریان نشتی درین القا شده از گیت در افزاره سیلیکان و همچنین به بررسی عملکرد فرکانس بالای نانوتیوپ کربنی در محدوده فرکانسی GHz تا THz پرداخته و در مورد چگونگی برقراری پیوند بین دنیای نانویی و ماکرویی بحث می شود.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
حامد محمدیان
دانشگاه آزاد اسلامی واحد شوشتر
محمد سروش
استادیار دانشگاه شهید چمران اهواز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :