بررسی و شبیه سازی دیودی با ساختار NIP برای کاربرد در آشکارسازی نور UV
محل انتشار: سومین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,086
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE03_238
تاریخ نمایه سازی: 18 مهر 1390
چکیده مقاله:
دراین مقاله آشکارساز نور UV براساس دیودی با ساختار NIP درنظر گرفته شده است ساختار مورد نظر بصورت Ag/NIP/Al می باشد و لایه های P,I,N به این صورت تعریف شده اند که در لایه ی N از a-si:H و در لایه ی I از a-siC:H و در لایه ی P از a-siC:H استفاده شده است آزمایش را بدون حضور نور انجام داده و نمودارهای میدان الکتریکی و مشخصه I-V را بدست آورده و سپس نور تابانده و اثر نور روی آنها بررسی شده است شبیه سازی برای باندگپهای مختلف انجام شده و منحنی I-V در حالت بایاس معکوس و بایاس مستقیم بررسی گردید. نتایج آنالیز نشان داد که ساختاری که در لایه ی I از a-siC:H با باند گپ Eg=2.7eV ودر لایه P از a-siC:Hبا باند گپEg=1.95eV و د رلایه ی N از a-si:H با باند گپ Eg=1.74eV استفاده شده بهترین نتیجه را از لحاظ حساسیت عنصر به نور UV دارد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مجید قدردان
دانشگاه سیستان و بلوچستا ن
طاهره فنایی شیخ الاسلامی
دانشگاه سیستان و بلوچستان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :