کاهش توان مصرفی و مقاوم سازی یک جمع کننده در برابر حمله تحلیل توان بر پایه فناوری نوظهور گرافین

سال انتشار: 1398
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 246

فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_SAIRAN-10-4_003

تاریخ نمایه سازی: 8 خرداد 1400

چکیده مقاله:

در این مقاله، با کاهش توان مصرفی، برای اولین بار نقش فناوری نوظهور گرافین بر افزایش امنیت در برابر حمله تحلیل توان در مدارهای جمع کننده دیجیتالی بررسی شده است. روش های طراحی استاتیک (static) و منطق مد جریانی (CML) برای طراحی جمع کننده ها یک، چهار و هشت بیتی در فناوری های سیلیکون و گرافین بکار گرفته شده است. در شبیه-سازی برای ترانزیستورهای گرافینی از یک مدل سازگار با SPICE و برای ترانزیستورهای سیلیکونی FINFET از یک مدل PTM استفاده می شود. تحلیل نتایج نشان می دهد که جمع کننده های static مبتنی بر گرافین، کمترین مصرف انرژی را دارند. همچنین تحلیل بالازدگی ها و انحراف معیار در دنباله توان یک جمع کننده ۸ بیتی تایید می کند که جمع کننده CML مبتنی بر گرافین (G-CML) مقاوم ترین طرح در برابر حمله تحلیل توان در میان طراحی های static و CML است. نهایتا یک روش ترکیبی جدید با ارائه یک مدار پیشنهاد می شود که در آن امنیت با ایجاد بینظمی در دنباله توان افزایش یافته است زیرا امکان تشخیص صحیح داده با مشکل مواجه می شود. بر این اساس جمع کننده طراحی شده با روش پیشنهادی ضمن کاهش توان مصرفی نسبت به جمع کننده CML، امنیت بالاتری را با ایجاد الگویی متمایز در دنباله توان به همراه دارد.

کلیدواژه ها:

جمع کننده کم توان امن ، گرافین ، FET گرافینی ، منطق مد جریان

نویسندگان

رضا هوشمند

دانشکده مهندسی برق - دانشگاه علوم و فنون هوایی شهید ستاری - تهران - ایران

حسن عبداللهی

دانشکده مهندسی برق - دانشگاه علوم و فنون هوایی شهید ستاری - تهران - ایران

هادی اولیا

استادیار، گروه مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه اردکان، اردکان، ایران.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • H. Sun, M. Yin, W. Wei, J. Li, H. Wang, ...
  • K. Yang, D. Blaauw, and D. Sylvester, “Hardware Designs for ...
  • M. M. Mano, Digital design. Upper Saddle River, NJ: Pearson ...
  • S. Moysidis, I. G. Karafyllidis, and P. Dimitrakis, “Graphene Logic ...
  • S. Tabrizchi, A. Panahi, F. Sharifi, K. Navi, and N. ...
  • F. X. Standaert, “Introduction to side-channel attacks,” in Secure Integrated ...
  • A. J. Acosta, T. Addabbo, and E. Tena-Sánchez, “Embedded electronic ...
  • P. Kocher, “Design and validation strategies for obtaining assurance in ...
  • M. L. Akkar and C. Giraud, “An implementation of DES ...
  • S. Yang, W. Wolf, N. Vijaykrishnan, D. Serpanos, and Y. ...
  • B.-D. Choi, K. E. Kim, K.-S. Chung, and D. K. ...
  • K. Tiri and I. Verbauwhede, “A logic level design methodology ...
  • P. Yu and P. Schaumont, “Secure FPGA circuits using controlled ...
  • Y. Bi, P. E. Gaillardon, X. S. Hu, M. Niemier, ...
  • B.-D. Choi, K. E. Kim, K.-S. Chung, and D. K. ...
  • E. Tena-Sanchez, J. Castro, and A. J. Acosta, “A Methodology ...
  • Y. Bi, K. Shamsi, J.-S. Yuan, Y. Jin, M. Niemier, ...
  • M. Alioto and G. Palumbo, Model and design of bipolar ...
  • O. Lozada and G. Espinosa, “An improved high speed, and ...
  • Y. Bai, Y. Song, M. N. Bojnordi, A. Shapiro, E. ...
  • S. Sato, “Graphene for nanoelectronics,” Japanese Journal of Applied Physics, ...
  • H. Owlia and P. Keshavarzi, “Investigation of the novel attributes ...
  • H. Owlia and P. Keshavarzi, “A bilayer graphene nanoribbon field-effect ...
  • Z. Yan, D. L. Nika, and A. A. Balandin, “Thermal ...
  • K. S. Novoselov, “Electric Field Effect in Atomically Thin Carbon ...
  • A. K. Geim and K. S. Novoselov, “The rise of ...
  • H. Owlia and P. Keshavarzi, “Locally Defect-Engineered Graphene Nanoribbon Field-Effect ...
  • F. Schwierz, “Graphene transistors,” Nature nanotechnology, vol. ۵, no. ۷, ...
  • Y.-W. Son, M. L. Cohen, and S. G. Louie, “Energy ...
  • F. Schwierz, “Graphene Transistors: Status, Prospects, and Problems,” Proceedings of ...
  • Y. Yoon, G. Fiori, S. Hong, G. Iannaccone, and J. ...
  • “Predictive Technology Model (PTM),” Predictive Technology Model (PTM). [Online]. Available: ...
  • Y.-Y. Chen, A. Sangai, A. Rogachev, M. Gholipour, G. Iannaccone, ...
  • J. M. Rabaey, M. Pedram, Low Power Design Methodologies. Springer ...
  • S. Mangard, E. Oswald, and T. Popp, Power analysis attacks: ...
  • C. Liang, Y. Wang, and T. Li, “Studies on contact ...
  • Q. Kong, X. Wang, L. Xia, C. Wu, Z. Feng, ...
  • K. Zhou, P. Wang, and L. Wen, “Design of power ...
  • I. Hassoune, F. Mace, D. Flandre, and J.-D. Legat, “Low-swing ...
  • C. Monteiro, Y. Takahashi, and T. Sekine, “Low-power secure S-box ...
  • نمایش کامل مراجع