ورود
مقالات فارسیISIکنفرانسهاژورنالها

تاثیر ترانزیستورهای DTMOS بر عملکرد یک سلول حافظه CAM سه‌ارزشی مبتنی بر ممریستور در کاربردهای توان‌پایین

محل انتشار: فصلنامه مهندسی برق و الکترونیک ایران، دوره: 18، شماره: 1
سال انتشار: 1399
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 477

فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:
https://civilica.com/doc/1157320

شناسه ملی سند علمی:

JR_JIAE-18-1_003

تاریخ نمایه سازی: 3 اسفند 1399

چکیده مقاله:

در این مقاله، استفاده از ترانزیستورهای DTMOS به جای ترانزیستورهای ماسفت در یک سلول حافظه CAM سه‌ارزشی مبتنی بر ممریستور(MTCAM) پیشنهاد می‌شود. همچنین، تاثیر به‌کارگیری سه روش بایاس مستقیم بدنه در ترانزیستورهای DTMOS بر عملکرد سلول MTCAM در وضعیت نوشتن بررسی می‌شود. روش‌های بایاس بدنه عبارتند از: اتصال‌ مستقیم گیت  و بدنه (DT1)، اتصال مستقیم درین و بدنه (DT2) و اتصال گیت و بدنه با منبع ولتاژ 1/0 ولت (DT3). نتایج شبیه‌سازی سلول‌های  MTCAM مبتنی بر DTMOS در مقایسه با سلول MTCAM‌ مبتنی بر ماسفت نشان می‌دهد روش DT1 باعث بهبود توان مصرفی کل و حاصل‌ضرب توان و تاخیر (PDP) به ترتیب به میزان %86 و %42 اما افزایش تاخیر به میزان %30 می‌شود، روش DT2 باعث بهبود توان مصرفی کل و PDP به ترتیب به میزان %87 و %60 اما افزایش تاخیر به میزان %20 می‌شود و روش DT3  باعث بهبود توان مصرفی کل و PDP به ترتیب به میزان %89 و 74% اما افزایش تاخیر به میزان %14 می‌شود. بنابراین، سلول DT3-MTCAM کمترین توان مصرفی و تاخیر را دارد و برای کاربردهای توان پایین مناسب‌تر است. شبیه‌سازی‌ها  در فرکانس 40 مگاهرتز و تکنولوژی 180 نانومتر CMOS انجام شده است.

کلیدواژه ها:

نویسندگان

مریم توحیدی

Jundi-Shapur University of Technology

سیده فاطمه مولاییزاده

Jundi-Shapur University of Technology

مجتبی گندم کار

Jundi-Shapur University of Technology

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • [1] Pasandi, Gh., Fakhraie,S. M. , '' Sub-Threshold 8T SRAM ...
  • [2] Amiri, P., Hedayatipour, A., Aslanzadeh, S. "Sub 1-V, 15ppm/Micro ...
  • [3] Farshidi, E, Salmanpour, A, Ansari Asl, K. "A new ...
  • [4] Pagiamtzis, K., Sheikholeslami, A., ''Content-Addressable Memory (CAM) circuits and architectures: ...
  • [5] Zheng, L., Memristor-based ternary content addressable memory for data-intensive applications, ...
  • [6] Parveen, F., High Performance Non-Volatile Ternary Content Addressable Memory Design ...
  • [7] P.C. Balla ; A. Antoniou, ''Low power dissipation MOS ternary ...
  • [8] Huang, P.T., Chang, S.W.,.Liu, W.Y, Hwang, W. ''A 256*128 Energy-Efficient ...
  • [9] Han, J., Lombardi, F., Junsangsri, P., ''A Memristor-based TCAM (Ternary ...
  • [10] Chen, W., Memristor Content Addressable Memory: Theory, Design and Application, ...
  • [11] Eshraghian, K., Cho, K., Kavehei, O., Kang, S., Abbott, D., ...
  • [12] Chua, L., ''Memristor-the missing circuit element, '' IEEE Transactions on ...
  • [13] Tabassum, S., Parveen, F., Rashid, A.B.M. H. , ''Low power ...
  • [14] Tabassum, S., Parveen, F., Rashid, A.B.M. H. ''Low power ...
  • [15] Assaderaghi, F., Parke, S., Sinitsky, D., Bokor, J., Ko, P.K., ...
  • [16] Garg, S., Niranjan, V., ''DTMOS transistor with self-cascode subcircuit for ...
  • [17] Lindert, N., Sugii, T., Tang, S., Hu, C. ''Dynamic threshold ...
  • [18] Niranjan, V., Performance improvement of low voltage CMOS circuits using ...
  • [19] Soleimani, S., Sammak, A., Forouzandeh, B., ''A novel ultra-low-energy bulk ...
  • [20] Ragini, K., Satyam, M., Jinaga, B.C., ''Variable threshold MOSFET approach ...
  • [21] Khateb, F., Kulej, T., Kumngern, M., ''0.5V DTMOS median filter'', ...
  • [22] Movahedi-Aliabad, H., Norouzi, A., Soltanmoradi, S., Nasserian, M., Shahi, M., ...
  • [23] Izadpanah, S., Behroozi, M., Asadpoor, V., ''Design of 0.4V operational ...
  • [24] Narang, N., Aggarwal, B., Gupta, M., ''DTMOS and FD-FVF based ...
  • [25] Liu, S.C., Wu, F.A., Kuo, J.B., ''A novel low-voltage Content-Addressable-Memory ...
  • [26] Strukov, D. B., Snider, G. S., Stewart, D. R., Williams, ...
  • [27] Biolek, D., Ventra, M. D., Pershin, Y.V., ''Reliable SPICE Simulations ...
  • [28] Joglekar, Y. N., Wolf, S. J., ''The elusive memristor: properties ...
  • [29] Movahedi-Aliabad, H., Norouzi, A., Soltanmoradi, S., Nasserian, M., Shahi, M., ...
  • [30] Bonnoit, A., Reducing Power using Body Biasing in Microprocessors with ...
  • [31] Maymandi-Nejad, M., Sachdev, M., ''DTMOS Technique for Low-Voltage Analog Circuits'', ...
  • [32] Sayil, S., Dynamic Threshold Technique for Soft Error and Soft ...
  • [33] McDonald, N. R. , Pino, R. E, Rozwood, P. J. ...
  • [34] Biolek, Z., Biolek, D., Biolková, V., ''SPICE Model of Memristor ...
  • [35] Gray, P. R., Hurst, P. J., Lewis, S. H., Meyer, ...
  • [1] پسندی، ق.، فخرایی، س. م.، "سلول حافظه ایستای (SRAM) زیرآستانه ...
  • طراحی مرجع ولتاژ زیر یک ولت قابل کاشت در بدن با دقت ppm / میکرومتر15 با استفاده از ترانزیستورهای ذاتی (Native)
  • ارایه ی مدل مداری جدید برای پارامترهای معادلات سلول عصبی هاجکینگ هاکسلی با توان پایین
  • [4] Pagiamtzis, K., Sheikholeslami, A., ''Content-Addressable Memory (CAM) circuits and architectures: ...
  • [5] Zheng, L., Memristor-based ternary content addressable memory for data-intensive applications, ...
  • [6] Parveen, F., High Performance Non-Volatile Ternary Content Addressable Memory Design ...
  • [7] P.C. Balla ; A. Antoniou, ''Low power dissipation MOS ternary ...
  • [8] Huang, P.T., Chang, S.W.,.Liu, W.Y, Hwang, W. ''A 256*128 Energy-Efficient ...
  • [9] Han, J., Lombardi, F., Junsangsri, P., ''A Memristor-based TCAM (Ternary ...
  • [10] Chen, W., Memristor Content Addressable Memory: Theory, Design and Application, ...
  • [11] Eshraghian, K., Cho, K., Kavehei, O., Kang, S., Abbott, D., ...
  • [12] Chua, L., ''Memristor-the missing circuit element, '' IEEE Transactions on ...
  • [13] Tabassum, S., Parveen, F., Rashid, A.B.M. H. , ''Low power ...
  • [14] Tabassum, S., Parveen, F., Rashid, A.B.M. H. ''Low power ...
  • [15] Assaderaghi, F., Parke, S., Sinitsky, D., Bokor, J., Ko, P.K., ...
  • [16] Garg, S., Niranjan, V., ''DTMOS transistor with self-cascode subcircuit for ...
  • [17] Lindert, N., Sugii, T., Tang, S., Hu, C. ''Dynamic threshold ...
  • [18] Niranjan, V., Performance improvement of low voltage CMOS circuits using ...
  • [19] Soleimani, S., Sammak, A., Forouzandeh, B., ''A novel ultra-low-energy bulk ...
  • [20] Ragini, K., Satyam, M., Jinaga, B.C., ''Variable threshold MOSFET approach ...
  • [21] Khateb, F., Kulej, T., Kumngern, M., ''0.5V DTMOS median filter'', ...
  • [22] Movahedi-Aliabad, H., Norouzi, A., Soltanmoradi, S., Nasserian, M., Shahi, M., ...
  • [23] Izadpanah, S., Behroozi, M., Asadpoor, V., ''Design of 0.4V operational ...
  • [24] Narang, N., Aggarwal, B., Gupta, M., ''DTMOS and FD-FVF based ...
  • [25] Liu, S.C., Wu, F.A., Kuo, J.B., ''A novel low-voltage Content-Addressable-Memory ...
  • [26] Strukov, D. B., Snider, G. S., Stewart, D. R., Williams, ...
  • [27] Biolek, D., Ventra, M. D., Pershin, Y.V., ''Reliable SPICE Simulations ...
  • [28] Joglekar, Y. N., Wolf, S. J., ''The elusive memristor: properties ...
  • [29] Movahedi-Aliabad, H., Norouzi, A., Soltanmoradi, S., Nasserian, M., Shahi, M., ...
  • [30] Bonnoit, A., Reducing Power using Body Biasing in Microprocessors with ...
  • [31] Maymandi-Nejad, M., Sachdev, M., ''DTMOS Technique for Low-Voltage Analog Circuits'', ...
  • [32] Sayil, S., Dynamic Threshold Technique for Soft Error and Soft ...
  • [33] McDonald, N. R. , Pino, R. E, Rozwood, P. J. ...
  • [34] Biolek, Z., Biolek, D., Biolková, V., ''SPICE Model of Memristor ...
  • [35] Gray, P. R., Hurst, P. J., Lewis, S. H., Meyer, ...
    • نمایش کامل مراجع