ناشر تخصصی کنفرانس های ایران

لطفا کمی صبر نمایید

Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
CIVILICAWe Respect the Science
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
عنوان
مقاله

تاثیر ترانزیستورهای DTMOS بر عملکرد یک سلول حافظه CAM سه‌ارزشی مبتنی بر ممریستور در کاربردهای توان‌پایین

سال انتشار: 1399
کد COI مقاله: JR_JIAE-18-1_003
زبان مقاله: فارسیمشاهد این مقاله: 13
فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 12 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله تاثیر ترانزیستورهای DTMOS بر عملکرد یک سلول حافظه CAM سه‌ارزشی مبتنی بر ممریستور در کاربردهای توان‌پایین

مریم توحیدی - Jundi-Shapur University of Technology
سیده فاطمه مولاییزاده - Jundi-Shapur University of Technology
مجتبی گندم کار - Jundi-Shapur University of Technology

چکیده مقاله:

در این مقاله، استفاده از ترانزیستورهای DTMOS به جای ترانزیستورهای ماسفت در یک سلول حافظه CAM سه‌ارزشی مبتنی بر ممریستور(MTCAM) پیشنهاد می‌شود. همچنین، تاثیر به‌کارگیری سه روش بایاس مستقیم بدنه در ترانزیستورهای DTMOS بر عملکرد سلول MTCAM در وضعیت نوشتن بررسی می‌شود. روش‌های بایاس بدنه عبارتند از: اتصال‌ مستقیم گیت  و بدنه (DT1)، اتصال مستقیم درین و بدنه (DT2) و اتصال گیت و بدنه با منبع ولتاژ 1/0 ولت (DT3). نتایج شبیه‌سازی سلول‌های  MTCAM مبتنی بر DTMOS در مقایسه با سلول MTCAM‌ مبتنی بر ماسفت نشان می‌دهد روش DT1 باعث بهبود توان مصرفی کل و حاصل‌ضرب توان و تاخیر (PDP) به ترتیب به میزان %86 و %42 اما افزایش تاخیر به میزان %30 می‌شود، روش DT2 باعث بهبود توان مصرفی کل و PDP به ترتیب به میزان %87 و %60 اما افزایش تاخیر به میزان %20 می‌شود و روش DT3  باعث بهبود توان مصرفی کل و PDP به ترتیب به میزان %89 و 74% اما افزایش تاخیر به میزان %14 می‌شود. بنابراین، سلول DT3-MTCAM کمترین توان مصرفی و تاخیر را دارد و برای کاربردهای توان پایین مناسب‌تر است. شبیه‌سازی‌ها  در فرکانس 40 مگاهرتز و تکنولوژی 180 نانومتر CMOS انجام شده است.

کلیدواژه ها:

CAM Memory, Ternary Logic, Memristor, DTMOS Transistor, Forward body bias, low power., حافظه‌ی CAM, منطق سه‌ارزشی, ممریستور, ترانزیستور DTMOS, بایاس مستقیم بدنه, توان پایین.

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/1157320/

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
توحیدی، مریم و مولاییزاده، سیده فاطمه و گندم کار، مجتبی،1399،تاثیر ترانزیستورهای DTMOS بر عملکرد یک سلول حافظه CAM سه‌ارزشی مبتنی بر ممریستور در کاربردهای توان‌پایین،،،،،https://civilica.com/doc/1157320

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1399، توحیدی، مریم؛ سیده فاطمه مولاییزاده و مجتبی گندم کار)
برای بار دوم به بعد: (1399، توحیدی؛ مولاییزاده و گندم کار)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود ممقالهقاله لینک شده اند :

  • [1] Pasandi, Gh., Fakhraie,S. M. , '' Sub-Threshold 8T SRAM ...
  • [2] Amiri, P., Hedayatipour, A., Aslanzadeh, S. "Sub 1-V, 15ppm/Micro ...
  • [3] Farshidi, E, Salmanpour, A, Ansari Asl, K. "A new ...
  • [4] Pagiamtzis, K., Sheikholeslami, A., ''Content-Addressable Memory (CAM) circuits and architectures: ...
  • [5] Zheng, L., Memristor-based ternary content addressable memory for data-intensive applications, ...
  • [6] Parveen, F., High Performance Non-Volatile Ternary Content Addressable Memory Design ...
  • [7] P.C. Balla ; A. Antoniou, ''Low power dissipation MOS ternary ...
  • [8] Huang, P.T., Chang, S.W.,.Liu, W.Y, Hwang, W. ''A 256*128 Energy-Efficient ...
  • [9] Han, J., Lombardi, F., Junsangsri, P., ''A Memristor-based TCAM (Ternary ...
  • [10] Chen, W., Memristor Content Addressable Memory: Theory, Design and Application, ...
  • [11] Eshraghian, K., Cho, K., Kavehei, O., Kang, S., Abbott, D., ...
  • [12] Chua, L., ''Memristor-the missing circuit element, '' IEEE Transactions on ...
  • [13] Tabassum, S., Parveen, F., Rashid, A.B.M. H. , ''Low power ...
  • [14] Tabassum, S., Parveen, F., Rashid, A.B.M. H. ''Low power ...
  • [15] Assaderaghi, F., Parke, S., Sinitsky, D., Bokor, J., Ko, P.K., ...
  • [16] Garg, S., Niranjan, V., ''DTMOS transistor with self-cascode subcircuit for ...
  • [17] Lindert, N., Sugii, T., Tang, S., Hu, C. ''Dynamic threshold ...
  • [18] Niranjan, V., Performance improvement of low voltage CMOS circuits using ...
  • [19] Soleimani, S., Sammak, A., Forouzandeh, B., ''A novel ultra-low-energy bulk ...
  • [20] Ragini, K., Satyam, M., Jinaga, B.C., ''Variable threshold MOSFET approach ...
  • [21] Khateb, F., Kulej, T., Kumngern, M., ''0.5V DTMOS median filter'', ...
  • [22] Movahedi-Aliabad, H., Norouzi, A., Soltanmoradi, S., Nasserian, M., Shahi, M., ...
  • [23] Izadpanah, S., Behroozi, M., Asadpoor, V., ''Design of 0.4V operational ...
  • [24] Narang, N., Aggarwal, B., Gupta, M., ''DTMOS and FD-FVF based ...
  • [25] Liu, S.C., Wu, F.A., Kuo, J.B., ''A novel low-voltage Content-Addressable-Memory ...
  • [26] Strukov, D. B., Snider, G. S., Stewart, D. R., Williams, ...
  • [27] Biolek, D., Ventra, M. D., Pershin, Y.V., ''Reliable SPICE Simulations ...
  • [28] Joglekar, Y. N., Wolf, S. J., ''The elusive memristor: properties ...
  • [29] Movahedi-Aliabad, H., Norouzi, A., Soltanmoradi, S., Nasserian, M., Shahi, M., ...
  • [30] Bonnoit, A., Reducing Power using Body Biasing in Microprocessors with ...
  • [31] Maymandi-Nejad, M., Sachdev, M., ''DTMOS Technique for Low-Voltage Analog Circuits'', ...
  • [32] Sayil, S., Dynamic Threshold Technique for Soft Error and Soft ...
  • [33] McDonald, N. R. , Pino, R. E, Rozwood, P. J. ...
  • [34] Biolek, Z., Biolek, D., Biolková, V., ''SPICE Model of Memristor ...
  • [35] Gray, P. R., Hurst, P. J., Lewis, S. H., Meyer, ...
  • [1] پسندی، ق.، فخرایی، س. م.، "سلول حافظه ایستای (SRAM) زیرآستانه ...
  • [2] امیری، پ.، هدایتی پور، آ.، اصلان زاده، ش.، "طراحی مرجع ...
  • [3] فرشیدی، ا.، سلمان پور، آ.، انصاری اصل، ک.، "ارائه ی ...
  • [4] Pagiamtzis, K., Sheikholeslami, A., ''Content-Addressable Memory (CAM) circuits and architectures: ...
  • [5] Zheng, L., Memristor-based ternary content addressable memory for data-intensive applications, ...
  • [6] Parveen, F., High Performance Non-Volatile Ternary Content Addressable Memory Design ...
  • [7] P.C. Balla ; A. Antoniou, ''Low power dissipation MOS ternary ...
  • [8] Huang, P.T., Chang, S.W.,.Liu, W.Y, Hwang, W. ''A 256*128 Energy-Efficient ...
  • [9] Han, J., Lombardi, F., Junsangsri, P., ''A Memristor-based TCAM (Ternary ...
  • [10] Chen, W., Memristor Content Addressable Memory: Theory, Design and Application, ...
  • [11] Eshraghian, K., Cho, K., Kavehei, O., Kang, S., Abbott, D., ...
  • [12] Chua, L., ''Memristor-the missing circuit element, '' IEEE Transactions on ...
  • [13] Tabassum, S., Parveen, F., Rashid, A.B.M. H. , ''Low power ...
  • [14] Tabassum, S., Parveen, F., Rashid, A.B.M. H. ''Low power ...
  • [15] Assaderaghi, F., Parke, S., Sinitsky, D., Bokor, J., Ko, P.K., ...
  • [16] Garg, S., Niranjan, V., ''DTMOS transistor with self-cascode subcircuit for ...
  • [17] Lindert, N., Sugii, T., Tang, S., Hu, C. ''Dynamic threshold ...
  • [18] Niranjan, V., Performance improvement of low voltage CMOS circuits using ...
  • [19] Soleimani, S., Sammak, A., Forouzandeh, B., ''A novel ultra-low-energy bulk ...
  • [20] Ragini, K., Satyam, M., Jinaga, B.C., ''Variable threshold MOSFET approach ...
  • [21] Khateb, F., Kulej, T., Kumngern, M., ''0.5V DTMOS median filter'', ...
  • [22] Movahedi-Aliabad, H., Norouzi, A., Soltanmoradi, S., Nasserian, M., Shahi, M., ...
  • [23] Izadpanah, S., Behroozi, M., Asadpoor, V., ''Design of 0.4V operational ...
  • [24] Narang, N., Aggarwal, B., Gupta, M., ''DTMOS and FD-FVF based ...
  • [25] Liu, S.C., Wu, F.A., Kuo, J.B., ''A novel low-voltage Content-Addressable-Memory ...
  • [26] Strukov, D. B., Snider, G. S., Stewart, D. R., Williams, ...
  • [27] Biolek, D., Ventra, M. D., Pershin, Y.V., ''Reliable SPICE Simulations ...
  • [28] Joglekar, Y. N., Wolf, S. J., ''The elusive memristor: properties ...
  • [29] Movahedi-Aliabad, H., Norouzi, A., Soltanmoradi, S., Nasserian, M., Shahi, M., ...
  • [30] Bonnoit, A., Reducing Power using Body Biasing in Microprocessors with ...
  • [31] Maymandi-Nejad, M., Sachdev, M., ''DTMOS Technique for Low-Voltage Analog Circuits'', ...
  • [32] Sayil, S., Dynamic Threshold Technique for Soft Error and Soft ...
  • [33] McDonald, N. R. , Pino, R. E, Rozwood, P. J. ...
  • [34] Biolek, Z., Biolek, D., Biolková, V., ''SPICE Model of Memristor ...
  • [35] Gray, P. R., Hurst, P. J., Lewis, S. H., Meyer, ...
  • مدیریت اطلاعات پژوهشی

    صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله | من نویسنده این مقاله هستم

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

    پشتیبانی