رشداپیتکسیال نانوسیمهای عمودی ZnO و بررسی خواص نوری آن برای استفاده در ادوات اپتو الکترونیکی

چکیده-نانوسیمهای اکسیدروی ZnO) از طریق روش محلولی و به صورت اپیتکسیال رشد داده شد. رشد نانوسیمهای اکسیدروی ZnO) بر رویبذر لایه از جنس ذراتZnO توسط روش سل- ژل و از طریق پوشش دهی چرخشی ایجاد شد. سطوح ایجاد شده توسط میکروسکوپ الکترونی روبشیSEM) بررسی شد. همچنین جهت بررسی فازی سطوح تشکیل شده و جهتگیری نانومیله ها از سطوح آنالیز تفرق سنجی اشعه ایکسXRD) به عمل آمد.خواص نوری نانوسیمها با استفاده طیف سنجی مریی- فرابنفش بررسی شد.در این روشنانوسیمهای اکسیدروی همراستا با قطر در حدود 50 نانومتر روی سطح پوششداده شد

کلیدواژه ها:

نانوسیم ، نیمه هادی ، اپیتکسیال ، اپتوالکترونیک