بررسی خواصو شبیه سازی ویژگی های آشکارسازSiC
محل انتشار: دومین همایش ملی مهندسی اپتیک و لیزر ایران
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,267
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCOLE02_183
تاریخ نمایه سازی: 24 اسفند 1389
چکیده مقاله:
قطعات نیمه رسانای SiCدارای رسانایی گرمایی، قدرت شکست میدان الکتریکی بزرگ و شکاف باند بزرگی دارند که آنها را برای کاربردهای توان بالا، فرکانس بالا و محیط های تابشی شدید مناسب می سازد. در این مقاله برخی از خواص الکترواپتیکی آشکارسازهای SiC از جمله تغییرات باند شکاف با دمای کار نیمه هادی، تغییرات چگالی حامل های ذاتی با دما، تحرک پذیری الکترونها و حفره ها در4H-SiC و H-SiC 6 بر حسب تغییر غلظت ناخالصی ، تغییرات سرعت رانش بر حسب میدان الکتریکی در دماهای مختلف، درجه یونیزاسیون ناخالصی ها در دماهای مختلف و غلظت های مختلف ناخالصی و نیز منحنی چگالی جریان- ولتاژ دیودهای H-SiC 4 و H-SiC6 شبیه سازی گردیده است تا به دید روشن تری از خواص مختلف این آشکارسازها در وضعیت های مختلف دست یافت.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
زهرا اعلایی
مرکز تحقیقات نانوپترونیکس -دانشگاه علم و صنعت ایران
شهرام محمدنژاد
مرکز تحقیقات نانوپترونیکس -دانشگاه علم و صنعت ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :