رشد ساختار ستارهای شکل فیلم های نازک CdTe بر روی بستر سیلیکونی به روش لایه نشانی شیمیایی
محل انتشار: اولین همایش ملی تحقیقات نوین در مهندسی برق
سال انتشار: 1399
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 569
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NREE01_047
تاریخ نمایه سازی: 2 آذر 1399
چکیده مقاله:
لایه های نازک CdTe به روش لایه نشانی شیمیایی (روش رشد محلولی)، با استفاده از شیشۀ سیلیکونی به عنوان بستر در دمای پایین و به وسیلۀ استات کادمیم و دی اکسید تلوریوم آماده سازی شدند. مشخصه یابی، با استفاده از پراش اشعۀ ایکس، میکروگراف های میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) ، اسپکتروفوتومتر نوری و تحلیل کمّی، با استفاده از تحلیل پراش انرژی اشعۀ ایکس (EDAX ) صورت گرفت. بررسی پراش اشعۀ ایکس، ساختار ستاره ای شکل را نشان می دهد. گاف نواری محاسبه شده از طیف های نوری 1/44 الکترونولت به دست آمد. پیک های EDAX، وجود تلوریوم و کادمیم در لایۀ نازک ستاره ای شکل CdTe را نشان می دهند.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محمد مهدی دستگاهی
مرکز تحقیقات مواد و انرژی، واحد دزفول، دانشگاه آزاد اسلامی ، دزفول، ایران
محمود روشندل بناء
گروه مهندسی برق، واحد دزفول، دانشگاه آزاد اسلامی، دزفول، ایران
مهدی روشندل بناء
گروه مهندسی برق، واحد دزفول، دانشگاه آزاد اسلامی، دزفول، ایران