رشد ساختار ستارهای شکل فیلم های نازک CdTe بر روی بستر سیلیکونی به روش لایه نشانی شیمیایی

سال انتشار: 1399
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 497

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NREE01_047

تاریخ نمایه سازی: 2 آذر 1399

چکیده مقاله:

لایه های نازک CdTe به روش لایه نشانی شیمیایی (روش رشد محلولی)، با استفاده از شیشۀ سیلیکونی به عنوان بستر در دمای پایین و به وسیلۀ استات کادمیم و دی اکسید تلوریوم آماده سازی شدند. مشخصه یابی، با استفاده از پراش اشعۀ ایکس، میکروگراف های میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) ، اسپکتروفوتومتر نوری و تحلیل کمّی، با استفاده از تحلیل پراش انرژی اشعۀ ایکس (EDAX ) صورت گرفت. بررسی پراش اشعۀ ایکس، ساختار ستاره ای شکل را نشان می دهد. گاف نواری محاسبه شده از طیف های نوری 1/44 الکترونولت به دست آمد. پیک های EDAX، وجود تلوریوم و کادمیم در لایۀ نازک ستاره ای شکل CdTe را نشان می دهند.

نویسندگان

محمد مهدی دستگاهی

مرکز تحقیقات مواد و انرژی، واحد دزفول، دانشگاه آزاد اسلامی ، دزفول، ایران

محمود روشندل بناء

گروه مهندسی برق، واحد دزفول، دانشگاه آزاد اسلامی، دزفول، ایران

مهدی روشندل بناء

گروه مهندسی برق، واحد دزفول، دانشگاه آزاد اسلامی، دزفول، ایران