اثر دمای لایه نشانی بر خواص ساختاری و الکتریکی تماس اهمی لایه Au/AuGeNi با n-GaAs

سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,209

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

PHOTONICS03_053

تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1389

چکیده مقاله:

بنابراهمیت تماس اهمی در ادوات نیمه هادی دراین پژوهش اثر دمای زیرلایه n-GaAsبرخواص الکتریکی لایه تماس اهمی Au/AuNiGe مورد بررسی قرارگرفته است بررسی مشخصه الکتریکی نمونه ها نشان داد که نمونه های لایه نشانی شده در دمای بین 160 درجه تا 200 درجه کمترین مقاومت الکتریکی را دارند دلایل این موضوع از دید ریزساختاری و دیداری توسط انالیزهای SPM,XRD بررسی و مورد تحلیل قرارگرفته است.

نویسندگان

آرش هدایتی

مرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران

امیر گودرزی

مرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران

صالح تهمتن

مرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران

بهرنگ صبرلویی

مرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Baca, A, Fabrication of GaAs Devices, IET, UK, 2009. ...
  • Williams, R, Modern GaAs Processing Methods, ArtechHouse, Boston, (1990). ...
  • N. Braslau, Solid-State Electron, vol. 10, UK, (1967). ...
  • A. Messica, Thin Solid Films, Vol. 257, p. 54-57, (1995). ...
  • Rao G. K, j.Vacuum, vol. 83, p. 1485-1488, (2009). ...
  • S. OKTY AB RSKY, _ of Electronic Materials, vol. 25, ...
  • Y.-C Shih, .J. Appl. Physics, vol. 62, Issue 2, p. ...
  • نمایش کامل مراجع