ناشر تخصصی کنفرانس های ایران

لطفا کمی صبر نمایید

Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
ورود |عضویت رایگان |راهنمای سایت |عضویت کتابخانه ها
عنوان
مقاله

The study of deposition parameters on the growth of silicon dioxide films deposited on InSb by plasma enhanced chemical vapor deposition method

سال انتشار: 1389
کد COI مقاله: PHOTONICS03_041
زبان مقاله: انگلیسیمشاهده این مقاله: 1,479
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

خرید و دانلود فایل مقاله

متن کامل (فول تکست) این مقاله منتشر نشده و یا در سایت موجود نیست و امکان خرید آن فراهم نمی باشد.

مشخصات نویسندگان مقاله The study of deposition parameters on the growth of silicon dioxide films deposited on InSb by plasma enhanced chemical vapor deposition method

Gh Sareminia - aSAiran-Electronic Components Industry (ECI)-Optoelectronic industry, Tehran, Iran.
M Heidari Saani - aSAiran-Electronic Components Industry (ECI)-Optoelectronic industry, Tehran, Iran.
Ar Karamian - bMathematics department, Razi University Kermanshah, Iran
Ao .Alipour - aSAiran-Electronic Components Industry (ECI)-Optoelectronic industry, Tehran, Iran.

چکیده مقاله:

In this paper we report the growth and characterization of silicon dioxide films depositedon<111>InSb(B-face).The high performance Au/Cr/SiO2/InSb/Au metal-insulatorsemiconductor was fabricated by evaporation of metals in vacuum.The effects of N2O/SiH4 flow rate, deposition pressure and SiH4 gas flow rate on deposition rate, etch rate and uniformity of silicon dioxide films were investigated. The C-V results show that at 77 K MIS structure there are positive charges in the silicon dioxide films and interface .The dielectric constant and refractive index of PECVD deposited films was compared with dielectric constant and refractive index of thermally grown films.

کلیدواژه ها:

PECVD, SiH4, Etch Rate, Deposition Rate, Dielectric Constant

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

کد یکتای اختصاصی (COI) این مقاله در پایگاه سیویلیکا PHOTONICS03_041 میباشد و برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/105647/

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
Sareminia, Gh and Heidari Saani, M and Karamian, Ar and .Alipour, Ao,1389,The study of deposition parameters on the growth of silicon dioxide films deposited on InSb by plasma enhanced chemical vapor deposition method,03rd Iranian Conference on Photonics Engineering,Kerman,https://civilica.com/doc/105647

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1389, Sareminia, Gh؛ M Heidari Saani and Ar Karamian and Ao .Alipour)
برای بار دوم به بعد: (1389, Sareminia؛ Heidari Saani and Karamian and .Alipour)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مدیریت اطلاعات پژوهشی

صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله | من نویسنده این مقاله هستم

اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

مقالات مرتبط جدید

به اشتراک گذاری این صفحه

اطلاعات بیشتر درباره COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

پشتیبانی