The study of deposition parameters on the growth of silicon dioxide films deposited on InSb by plasma enhanced chemical vapor deposition method

سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 1,647

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

PHOTONICS03_041

تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1389

چکیده مقاله:

In this paper we report the growth and characterization of silicon dioxide films depositedon<111>InSb(B-face).The high performance Au/Cr/SiO2/InSb/Au metal-insulatorsemiconductor was fabricated by evaporation of metals in vacuum.The effects of N2O/SiH4 flow rate, deposition pressure and SiH4 gas flow rate on deposition rate, etch rate and uniformity of silicon dioxide films were investigated. The C-V results show that at 77 K MIS structure there are positive charges in the silicon dioxide films and interface .The dielectric constant and refractive index of PECVD deposited films was compared with dielectric constant and refractive index of thermally grown films.

نویسندگان

Gh Sareminia

aSAiran-Electronic Components Industry (ECI)-Optoelectronic industry, Tehran, Iran.

M Heidari Saani

aSAiran-Electronic Components Industry (ECI)-Optoelectronic industry, Tehran, Iran.

Ar Karamian

bMathematics department, Razi University Kermanshah, Iran

Ao .Alipour

aSAiran-Electronic Components Industry (ECI)-Optoelectronic industry, Tehran, Iran.