محاسبه پهنای نانوجت فوتونیکی با روش المان متناهی

سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 988

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICOPTICP17_224

تاریخ نمایه سازی: 19 آبان 1389

چکیده مقاله:

دراین مقاله با بکارگبردن روش المان متناهی برای بررسی توزیع شدت میدان الکتریکی درون نانوجت فوتونیکی حاصل از تابش موج تخت بر میکرواستوانه دی الکتریک پهنای نانوجت فوتونیکی در شبکه بندی های مختلف بررسی می گردد برای بررسی اعتبار این روش از نظریه mie استفاده می کنیم و در ادامه نشان میدهیم که در المان متناهی با انتخاب مناسب اندازه شبکه بندی در فضای محاسباتی می توان به نتایج بهتری دست یافت.

نویسندگان

عاطفه عالی زاده

دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات فارس شیراز

احمد محمدی

دانشگاه خلیج فارس گروه فیزیک بوشهر

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Z. G. Chen, A. Taflove, V. Backman, Opt. Express 12, ...
  • S. C. Kong, A. V. Sahakian, A. Heifetz, A. Taflove, ...
  • S. C. Kong, A. V. Sahakian, A. Heifetz, A. Taflove, ...
  • _ _ _ Backman, Opt. Express 15, 17334 (2007). ...
  • X. Li, Z. Chen, A. Taflove, V. Backman, Opt. Express ...
  • E. Mcleod, C. B. Arnold, Nature Nanotech. 3, 413 (2008). ...
  • W. Wu, A. Katsnelson, O. G. Memis, H. Mohseni, Na ...
  • S. C. Kong, A. V.Sahakian, A. Taflove, V.Backman, Jpn. J. ...
  • S. C. Kong, A. V. Sahakian, A. Taflove, V. Backman, ...
  • A. C. Polycarpou, Introduction to the finite element method ine ...
  • نمایش کامل مراجع