بررسی جذب اپتیکی وابسته به بارهای ازاد در سه نیم رسانای PbS,Ge,InAs

دراین مقاله پدیده های غیرخطی جذب دو فوتونی و تولید بارهای ازاد و همچنین جذب خطی سه نیم رسانای Ge,PbS, InAs که در ناحیه 5-2mm فعال هستند بررسی شده است نمودار جذب دو فوتونی و شدت خروجی برای سه ماده مذکور رسم شده است نتایج نشان میدهد که PbS بهترین ماده جهت سیستمهای محافظت در برابر لیزر می باشد.

کلیدواژه ها:

جذب غیرخطی ، لیزر ، مادون قرمز ، محافظت