شبیه سازی نقشه مکان نگاری نانومتری سطوح بینهایت با محاسبه شدت نور میدان نزدیک به روش عددی عناصر مرزی

هدف از انجام این کار شبیه سازی میدان نزدیک تشکیل شده درمجاورت ناهمواری های نانومتری موجود برروی سطوح دی الکتریک و به دست اوردن نقشه مکان نگاری سطح می باشد که کاربرد بسیار فراوانی در میکروسکوپ نوری میدان نزدیک دارد از انجا که ابعاد ناهمواری ها نانومتری می باشد می بایست ابعاد سطح را بی نهایت فرض نمود هرچنددرعمل ممکن است ابعاد سطوح نمونه کسری از سانتی متر باشد لذا یکی ازمشکلات پیش رو وجود حدهای بینهایت در مسائل عددی می باشد دراین مقاله نخست معادلات دیفرانسیلی میدانها به روش تحلیلی به معادلات انتگرالی با حدود بی نهایت تبدیل شده و سپس این معادلات انتگرالی به معادلاتی با حدود متنابهی تبدیل شده اند که برای حل بهروش عددی عناصر مرزی مناسب می باشند سپس معادلات به دستآمده به روش عددی عناصر مرزی که دارای دقت و سرعت بسیار مطلوبی است حل شدهاند و نتایج مورد تحلیل قرارگرفته اند

کلیدواژه ها:

مکان نگاری نانومتری ، روش عناصر مرزی ، میدان نزدیک