ورود
مقالات فارسیISIکنفرانسهاژورنالها

محاسبه ولتاژ شکست اشکارساز PIN برای InP به روش مونت کارلو

محل انتشار: اولین کنفرانس ملی علوم و فناوری نانو
سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,047

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:
https://civilica.com/doc/104226

شناسه ملی سند علمی:

NNTC01_667

تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1389

چکیده مقاله:

با استفاده از یک مدل دو دره ای برای الکترونها و دو باندی برای حفره ها پدیده یونیزاسیون برخوردی و شکست بهمنی در ساختار PIN را برای InP شبیه سازی می کنیم با در نظر گرفتن تقریب کلدیش برای اهنگ یونیزاسیون برخوردی ضریب های یونیزاسیون برخوردی الکترون و حفره در InP را بدست می اوریم و باداده های ازمایشگاهی دیگران مقایسه می کنیم سپس بهره و ولتاژ شکست افزاره را نیز محاسبه کرده و نتیجه شبیه سازی را براساس داده های عملی مورد ارزیابی قرار می دهیم.

کلیدواژه ها:

نویسندگان

محمد سروش

اهواز دانشگاه شهید چمران دانشکده مهندسی استادیار گروه برق الکترونی

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • _ Conference on Nano Science & Nano Technology, YAZD, 16-18 ...
  • Nalwa H.S, P hotodetector and Fiber Optics, Academic Press, 2001. ...
  • David J.P.R and TanC.H, IEEE J. Selected Topics in Optics ...
  • Tan L.J.J, Ng J.S, Tan C.H, David J.P.R, IEEE Trans. ...
  • Goh Y.L, Massey D.J, Marshall A.R.J., Ng J.S, Tan C.H, ...
  • Saleh M.A, HayatM. M, SotirelisP.P, Holmes A.L, Campbel lJ.C, SalehB. ...
    • نمایش کامل مراجع