بهبودکارایی ترانزیستورهای اثر - میدان نانولوله کربنی با استفاده از فناوری نانوجوش فراصوتی

سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 988

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

این مقاله در بخشهای موضوعی زیر دسته بندی شده است:

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NNTC01_587

تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1389

چکیده مقاله:

دراین مقاله مشخصات یک ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی نانوجوشی به طول کانال 50nm را مورد مطالعه قرا ر میدهیم برای این منظور با استفاده پارامتر η به عنوان ضریب نانوجوش فراصوتی و به کمک معادله پواسون اصلاح شده پتانسیل درون کانال ترانزیستور و نوارهای انرژی ان را محاسبه می کنیم انگاه براساس ترابرد بالستیک حاملهای بار در نانولوله های کربنی، جریان خروجی از قطعه را به کمک رابطه لاندوور بدست می اوریم. نتایج نشان میدهد که استفاده از فناوری نانوجوش فراصوتی علاوه بر افزایش کارایی قطعه استحکام مکانیکی بهتری را نیز ایجاد می کند.

نویسندگان

ابراهیم قاسمیان

یزد صفائیه دانشگاه یزد دانشکده علوم پایه گروه فیزیک

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • _ Conference on Nano Science & Nano Technology, YAZD, 16-18 ...
  • A. Bachtold, P. Hadley, T. Nakanishi, C. Dekker, Logic circuit ...
  • _ Durkup, S. A. Getty, E. Cobos, M. S. Fuhrer, ...
  • A. Javey, J. Guo, Q. Wang, M. Lundstrom, H. Dai, ...
  • _ C.X. Chen, D. Xu, E.S.W. Kong, Y.F. Zhang, Multi- ...
  • W.Zhang, C.X. Chen, Y.F. Zhang, , Modeling of carbon nanotube ...
  • transistor modeling, IEEE Trans. Electron Devices 54 (2007) 439-445 ...
  • نمایش کامل مراجع