مورفولوژی نانوساختارهای سیلیکان متخلخل بوسیله طیف بازتاب

طیف بازتاب چهار نمونه سیلیکان متخلخل تحت زمانهای اندیزاسیون 2 ، 6 ، 10 و 14 دقیقه اندازه گیری شد افت و خیز طیف بازتاب برای هرچهار نمونه یکسان اما شدت آنها متفاوت بود و با افزایش زمان، شدت بازتاب، کاهش می یافت علاوه براین محدوده کمترین بازتاب برناحیه گاف انرژی منطبق است بنابراین با استفاده از طیف بازتاب نیز این ناحیه قابل تشخیص است علاوه براین مشابه رفتار PL در PS ثابت شد که تشابه افت و خیز نمونه ها و ثابت ماندن ناحیه گاف انرژی در طیف بازتاب آنها به دلیل ثابت بودن غلظت محلول الکترولیت است.