طراحی و رشد یک سنسور مغناطیسی اثر هال با استفاده از نیمه هادی گالیم ارسناید به روش رشد رونشستی پرتومولکولی
محل انتشار: اولین کنفرانس ملی علوم و فناوری نانو
سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,440
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NNTC01_343
تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1389
چکیده مقاله:
هدف ازاین مقاله طراحی یک سنسور مغناطیسی اثر هال با استفاده از نیمه هادی گالیم ارسناید به روش رشد رونشستی پرتو مولکولی MBE:Molecular Beam Epetaxcy می باشد لایه گالیم ارسناید رشد داده شده به فرم چهار پر clover leaf شکل داده شده برای ساخت سنسور مورد استفاده قرار گرفته برای ایجاد کنتاکتهای الکتریکی برروی لایه از قلع استفاده شده است
کلیدواژه ها:
نویسندگان
حجت اله حمیدی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد دورود