طراحی و رشد یک سنسور مغناطیسی اثر هال با استفاده از نیمه هادی گالیم ارسناید به روش رشد رونشستی پرتومولکولی

سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,427

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NNTC01_343

تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1389

چکیده مقاله:

هدف ازاین مقاله طراحی یک سنسور مغناطیسی اثر هال با استفاده از نیمه هادی گالیم ارسناید به روش رشد رونشستی پرتو مولکولی MBE:Molecular Beam Epetaxcy می باشد لایه گالیم ارسناید رشد داده شده به فرم چهار پر clover leaf شکل داده شده برای ساخت سنسور مورد استفاده قرار گرفته برای ایجاد کنتاکتهای الکتریکی برروی لایه از قلع استفاده شده است

نویسندگان

حجت اله حمیدی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد دورود