طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده کم نویز باند پهن با قابلیت خطی سازی بالا با استفاده از تکنولوژی mμ0.2

در این مقاله ، یک تقویت کننده کم نویز باند په ن با قابلیت خطی سازی بالا ارائه شده است که برای دستیابی به خطی سازی بالا از ساختار پوش پول مکمل استفاده شده است. همچنین برای داشتن تطبیق امپدانس ورودی و خروجی به ترتیب از ساختارهای گیت مشترک ودرین مشترک به عنوان تطبیق فعال استفاده شده است. عدد نویز آن در محدوده فرکانسی 2 تا 6 گیگا هرتز کم تر از 4 ، بهره حدود dB 22.5 می باشد. همچنین تطبیق امپدانس ورودی و خروجی مدار در این محدوده، کم تر از dB 10 - می باشد. شبیه سازی این مدار درتکنولوژی ED02AH انجام شده است .

کلیدواژه ها:

تقویت کننده کم نویز LNA ، UWB ، خطی سازی با لا