بررسی اثر اندازه بر خمش غیرخطی میکروتیر حاوی میکروسیم های حافظه دار

در کار حا ضر به برر سی اثر اندازه بر خمش غیرخطی میکروتیر حاوی میکروسیم های حافظه دار با لحاظ کردن اثرات غیرخطی هندسی و غیرخطی مواد، پرداخته میشود. در ابتدا، با در نظر گرفتن رابطه غیرخطی کرنش-جابجایی ون- کارمن و با ا ستفاده از اصل کار مجازی و با بهره گیری از تئوری تنش کوپل اصلاح شده، معادلات حاکم بر میکروتیر تیموشنکو به دست می آید. از فرمولا سیون ارائه شده تو سط هرناندز و لاگوداس که با تعریف متغیرهای میکرو آلیاژهای حافظه دار به صورت توانی، اثر اندازه را لحاظ می نماید، جهت مدل کردن میکروسیمهای حافظه دار ا ستفاده می شود. سپس نتایج با ا ستفاده از روش المان محدود غیرخطی و الگوریتم نگاشت برگشتی صفحه برنده محدب و کدنویسی در نرم افزار متلب به دست می آید و اعتبار آن با مقایسه با مقالات مرجع برر سی می شود. نتایج به د ست آمده نشان مید هد که با افزایش اثر اندازه و با افزایش قطر میکروسیم های حافظه دار در محدوده میکرو، خیز نقطه میانی میکروتیر کاهش می یابد.

کلیدواژه ها:

میکروسیم حافظه دار ، تئوری تنش کوپل ، پارامتر اثر اندازه