بهبود پدیده انتقال جرم در سنسور میکروسیالاتی مبتنی بر ترانزیستور اثر میدان حساس به یون

در طول سال های اخیر علاقه زیادی به توسعه سنسورهای مبتنی برترانزیستورهای اثر میدان حساس به یون (ISFET) نشان داده شده است. این سنسورها در زمینه مهندسی زیست، شیمی و غیره کاربردهای مختلفی پیدا کرده اند. در این مقاله عملکرد بیوسنسور مبتنی بر ISFET که در داخل یک کانال میکروسیالاتی قرار گرفته است، مورد بررسی قرار می گیرد. با شبیه سازی این سنسور در محیط نرم افزار COMSOL ، نمودارهای جریان-ولتاژ در حالت های مختلف بررسی شده است. در این پژوهش با بررسی پدیده انتقال جرم در داخل میکروکانال عملکرد سنسور ISFET بهبود می یابد. پس از برررسی مشکل انتقال جرم در سیستم های میکروسیالاتی، قادر هستیم با قرار دادن الکترودهایی در دیواره میکروکانال و اعمال پتانسیل الکتریکی به الکترودها منجر به ایجاد جریان الکترواسموتیک در اطراف سنسور شویم که در نهایت باعث افزایش انتقال جرم آنالیت مورد نظر به سطح سنسور و بهبود عملکرد سنسور می شود.

کلیدواژه ها:

ترانزیستورهای اثر میدان حساس به یون ، ترانزیستورهای اثر میدان نیمه رسانای اکسید فلز ، الکترولیت ، میکروسیالات ، الکترواسموتیک