بهبود خطینگی خازن-ولتاژ(c-v) یک اسیلاتور کنترل شونده با ولتاژ (LC VCO) به روش شیفت بایاس در تکنولوژی استاندارد CMOS

در این مقاله یک نوسان ساز کنترل شونده با ولتاز با استفاده از تکنیک شیفت بایاس به منظور تغییر مشخصه ی ورکتور و افزایش میزان خطینگی VCO طراحی شده است. با اضافه کردن 6 ورکتور MOS موازی مد وارونگی بایاس شیفت داده شده در حالت موازی با یکدیگر، خطینگی کمتر از 47% به دست آمده است. این تکنیک توسط نرم افزار Cadence IC Design در تکنولوژی 180 نانومتر TSMC CMOS شبیه سازی شده است. VCO ارائه شده دارای نویز فاز dBc/Hz -116.5 در آفست فرکانس 1 MHz در فرکانس 3.42 GHz را شان می دهد و این در حالی است که KVCO مدار در محدوده ی فرکانسی از GHz 2.51-3.42 کمتر از 47 درصد از KVCO ایده ال انحراف دارد و قابل ذکر است که توان مصرفی تحت تغذیه 1.8V ، 1mw می باشد.

کلیدواژه ها:

خطینگی ، شیفت بایاس ، مد وارونگی ، نوسان ساز کنترل شونده با ولتاژ ، نویز فاز