فیلتر نتایج
مقاله کنفرانسی
ترانسیستور توام تخلیه ی سیلیکوى روی عایق با بدنه و لایه ی نازک اکساید مدفون شده UTBB با طول گیت 22 نانومتر و بررسی عملکرد آن با اعمال بایاس گیت دوم
نویسندگان: الهه شیرانی، آرش دقیقی
سال انتشار 1395
محل انتشار: کنفرانس بین المللی پژوهش های نوین در مهندسی برق و کامپیوتر و مهندسی پزشکی
تعداد صفحات: 8 | زبان: فارسی