لطفا کمی صبر نمایید ...
ورود
جستجوی پیشرفته
استعلام پایان نامه
مقالات فارسی
ISI
کنفرانسها
ژورنالها
مقالات فارسی
مقالات ISI
کنفرانس های ایران
ژورنالها و مجلات
مجموعه مقالات
جلسات علمی
ورود / ثبت نام
مقالات فارسی
مقالات ISI
کنفرانس های ایران
ژورنالها و مجلات
مجموعه مقالات
جلسات علمی
استعلام پایان نامه
ظاهر تیره
استعلام پایان نامه
جستجوی مقالات داخلی
دسته بندی:
مقالات کنفرانسی
مقالات ژورنالی
کتابها
طرح های پژوهشی
اسناد پژوهشی
گزارشات
نوع نتایج:
دارای فایل کامل
دارای فایل Word
جستجو بدون در نظر گرفتن جایگاه کلمات صورت بگیرد
محدود کردن سال انتشار مقاله به:
همه سالها
سالهای معین:
جستجو
نمایش
کلیه اطلاعات
فقط عنوان مقاله
تعداد نتایج در هر صفحه
10
20
مرتب سازی با
عنوان مقاله
سال انتشار
نمایه سازی
صعودی
نزولی
فیلتر نتایج
مجید آقابابایی
داریوش دیدبان
مقاله ژورنالی
Dual-Channel Indium Nitride Tunnel Field Effect Transistor: A Comprehensive Study on Design, Sensitivity, and Electrical Performance
نویسندگان:
Zahra Ahangari
سال انتشار 1402
محل انتشار:
مجله مدلسازی و شبیه سازی در مهندسی برق و الکترونیک شماره 4، دوره 2
تعداد صفحات:
9
| زبان: انگلیسی
مشاهده خلاصه و دریافت
مقاله ژورنالی
Switching Performance of Nanotube Core-Shell Heterojunction Electrically Doped Junctionless Tunnel Field Effect Transistor
نویسندگان:
Zahra Ahangari
سال انتشار 1399
محل انتشار:
مجله نانو ساختارهای اپتوالکترونیکال شماره 2، دوره 5
تعداد صفحات:
12
| زبان: انگلیسی
مشاهده خلاصه و دریافت
مقاله کنفرانسی
N-P-N Bipolar Action in Junctionless TFET: A Modified Current Mechanism for Electrical Performance Improvement
نویسندگان:
Morteza Rahimian
سال انتشار 1401
محل انتشار:
هفتمین همایش بین المللی مهندسی برق، علوم کامپیوتر و فناوری اطلاعات
تعداد صفحات:
9
| زبان: انگلیسی
مشاهده خلاصه و دریافت
مقاله ژورنالی
Performance Optimization of Broadwell-Y Shaped Transistor Using Artificial Neural Network and Moth-Flame Optimization Technique
نویسندگان:
Navneet Kaur
،
Munish Rattan
،
Sandeep Gill
سال انتشار 1397
محل انتشار:
مجله مهندسی برق مجلسی شماره 1، دوره 12
تعداد صفحات:
9
| زبان: انگلیسی
مشاهده خلاصه و دریافت
مقاله ژورنالی
Band bending engineering in p-i-n gate all around Carbon nanotube field effect transistors by multi-segment gate
نویسندگان:
Ali Naderi
،
Behrooz Abdi Tahne
سال انتشار 1396
محل انتشار:
مجله بین المللی ابعاد نانو شماره 4، دوره 8
تعداد صفحات:
10
| زبان: انگلیسی
مشاهده خلاصه و دریافت
مقاله ژورنالی
Novel attributes of steep-slope staggered type heterojunction p-channel electron-hole bilayer tunnel field effect transistor
نویسندگان:
Zahra Ahangari
سال انتشار 1398
محل انتشار:
مجله بین المللی ابعاد نانو شماره 4، دوره 10
تعداد صفحات:
9
| زبان: انگلیسی
مشاهده خلاصه و دریافت
مقاله ژورنالی
Improvement of Tunnel Field Effect Transistor Performance Using Auxiliary Gate and Retrograde Doping in the Channel
نویسندگان:
Mohammad Karbalaei
،
Daryoosh Dideban
،
Negin Moezi
سال انتشار 1398
محل انتشار:
مجله نوآوری های مهندسی برق و کامپیوتر شماره 1، دوره 7
تعداد صفحات:
8
| زبان: انگلیسی
مشاهده خلاصه و دریافت
مقاله کنفرانسی
Negative-Capacitance Effects in 2D Double Gate Field-Effect Transistors
نویسندگان:
Manouchehr Hosseini
،
Hamidreza Karami
،
Zahra Sohrabi
سال انتشار 1397
محل انتشار:
سومین کنفرانس بین المللی مهندسی برق
تعداد صفحات:
5
| زبان: انگلیسی
مشاهده خلاصه و دریافت
مقاله کنفرانسی
Tunnel Field-Effect Transistors: Steeper Switching and Low off Current (IOFF) for Ultra Low Power Applications
نویسندگان:
Saeid jafari
،
Kavoos Sarkari
،
Majid Aghababaei
سال انتشار 1395
محل انتشار:
چهارمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و کامپیوتر
تعداد صفحات:
15
| زبان: انگلیسی
مشاهده خلاصه و دریافت
مقاله کنفرانسی
Single Kappa Halo Carbon Nanotube Field Effect Transistor: A Novel Device for Short Channel Effects Improvement without Reducing Saturation Current
نویسندگان:
Ali Naderi
،
Parviz Keshavarzi
،
Ali Asghar Orouji
سال انتشار 1390
محل انتشار:
پنجمین کنفرانس بین المللی پیشرفت های علوم و تکنولوژی
تعداد صفحات:
8
| زبان: انگلیسی
مشاهده خلاصه و دریافت