فیلتر نتایج
نتایج 1 تا 10 از مجموع 18
مقاله ژورنالی
Voltage Difference Technique in Junctionless Tunneling FET for Suppression of Ambipolar Conduction Controlling
نویسندگان: Morteza Rahimian
سال انتشار 1402
محل انتشار: مجله نانو ساختارهای اپتوالکترونیکال شماره 4، دوره 8
تعداد صفحات: 12 | زبان: انگلیسیمقاله ژورنالی
Controlling Ambipolar Current in a Junctionless Tunneling FET Emphasizing on Depletion Region Extension
نویسندگان: Morteza Rahimian
سال انتشار 1402
محل انتشار: مجله نانو ساختارهای اپتوالکترونیکال شماره 1، دوره 8
تعداد صفحات: 19 | زبان: انگلیسیمقاله ژورنالی
Performance Optimization of an Electrostatically Doped Staggered Type Heterojunction Tunnel Field Effect Transistor with High Switching Speed and Improved Tunneling Rate
نویسندگان: Mahdi Mohammadkhani Ghiasvand، Zahra Ahangari، Hamed Nematian
سال انتشار 1401
محل انتشار: مجله نانو ساختارهای اپتوالکترونیکال شماره 1، دوره 7
تعداد صفحات: 18 | زبان: انگلیسیمقاله ژورنالی
Switching Performance of Nanotube Core-Shell Heterojunction Electrically Doped Junctionless Tunnel Field Effect Transistor
نویسندگان: Zahra Ahangari
سال انتشار 1399
محل انتشار: مجله نانو ساختارهای اپتوالکترونیکال شماره 2، دوره 5
تعداد صفحات: 12 | زبان: انگلیسی
مقاله کنفرانسی
Two Dimensional Analytical Modeling and Simulation for Junctionless Tunneling Field Effect Transistors
نویسندگان: Morteza Rahimian
سال انتشار 1401
محل انتشار: هفتمین همایش بین المللی مهندسی برق، علوم کامپیوتر و فناوری اطلاعات
تعداد صفحات: 15 | زبان: انگلیسیمقاله کنفرانسی
N-P-N Bipolar Action in Junctionless TFET: A Modified Current Mechanism for Electrical Performance Improvement
نویسندگان: Morteza Rahimian
سال انتشار 1401
محل انتشار: هفتمین همایش بین المللی مهندسی برق، علوم کامپیوتر و فناوری اطلاعات
تعداد صفحات: 9 | زبان: انگلیسی
مقاله کنفرانسی
A Novel Junctionless Tunneling FET with Improved Ambipolar Current
نویسندگان: Morteza Rahimian
سال انتشار 1401
محل انتشار: ششمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق، کامپیوتر و مکانیک
تعداد صفحات: 7 | زبان: انگلیسی
مقاله کنفرانسی
Scaling Behavior of p-type Junctionless Field Effect Transistors with Different Channel Materials
نویسندگان: F. Bajelan
سال انتشار 1401
محل انتشار: هفتمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق ،الکترونیک و شبکه های هوشمند
تعداد صفحات: 9 | زبان: انگلیسی
مقاله ژورنالی
Gate structural engineering of MOS-like junctionless Carbon nanotube field effect transistor (MOS-like J-CNTFET)
نویسندگان: Maryam Faraji، Seyed Saleh Ghoreishi، Reza Yousefi
سال انتشار 1397
محل انتشار: مجله بین المللی ابعاد نانو شماره 1، دوره 9
تعداد صفحات: 9 | زبان: انگلیسیمقاله ژورنالی
Analysis and study of geometrical variability on the performance of junctionless tunneling field effect transistors: Advantage or deficiency?
نویسندگان: Fayzollah Khorramrouz، Seyed Ali Sedigh Ziabari، Ali Heydari
سال انتشار 1397
محل انتشار: مجله بین المللی ابعاد نانو شماره 3، دوره 9
تعداد صفحات: 13 | زبان: انگلیسی
نتایج 1 تا 10 از مجموع 18