فیلتر نتایج
مقاله ژورنالی
Effects of Compound Semiconductor Material Properties and the Device Structure on the Electron Transport Characteristics in MESFETs (A Monte Carlo Simulation)
نویسندگان: کامیار ثقفی، محمد کاظم مروج فرشی، وحید احمدی
سال انتشار 1384
محل انتشار: فصلنامه مهندسی برق مدرس شماره 0، دوره 5
تعداد صفحات: 12 | زبان: انگلیسیمقاله ژورنالی
Effects of Compound Semiconductor Material Properties and the Device Structure on the Electron Transport Characteristics in MESFETs (A Monte Carlo Simulation)
نویسندگان: کامیار ثقفی، محمد کاظم مروج فرشی، وحید احمدی
سال انتشار 1384
محل انتشار: فصلنامه مهندسی برق مدرس شماره 0، دوره 5
تعداد صفحات: 12 | زبان: انگلیسی
مقاله کنفرانسی
بهبود اثرات کانال کوتاه در ترانزیستور موبیلیتی بالا مبتنی بر InGaAs/InAlAs
نویسندگان: مهسا غمزه، سیدابراهیم حسینی، مجتبی میرحسینی
سال انتشار 1396
محل انتشار: کنفرانس بین المللی تحقیقات بنیادین در مهندسی برق
تعداد صفحات: 7 | زبان: فارسی
مقاله کنفرانسی
مقایسه خصوصیات فتودیودهای بهمنی InGaAS-Inp در 1550nm
نویسندگان: مظفرالدین فردوسیان طهرانی
سال انتشار 1395
محل انتشار: اولین همایش ملی مهندسی برق باشگاه پژوهشگران جوان و نخبگان
تعداد صفحات: 6 | زبان: فارسی
مقاله کنفرانسی
افزایش توان خروجی لیزر آبشار کوانتومی به وسیله ی بهبود ناحیه ی فعال
نویسندگان: محمدامین ساجدیان، محسن ایمانیه
سال انتشار 1395
محل انتشار: اولین کنفرانس بین المللی دستاوردهای نوین پژوهشی در مهندسی برق و کامپیوتر
تعداد صفحات: 16 | زبان: فارسی
مقاله کنفرانسی
ارائه یک مدل رانش_نفوذ برای محاسبه جریان تاریک آشکارساز p-i-n
نویسندگان: فاطمه روستایی، محمد سروش، فاطمه حدادان
سال انتشار 1392
محل انتشار: اولین همایش تخصصی علوم ، فناوری و سامانه های مهندسی برق
تعداد صفحات: 7 | زبان: فارسی
مقاله کنفرانسی
اتصالات اهمی غیر آلیاژی با رشد MOCVD +-InxGa1-xAs روی n-GaAs در دیود لیزر پرقدرت InGaAs/GaAs
نویسندگان: حسن قاضی اسدی
سال انتشار 1388
محل انتشار: دوازهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
تعداد صفحات: 6 | زبان: فارسی