Current Transport Mechanisms in Ballistic Carbon Nanotube Transistors: Channel Diameter Impact
محل انتشار: سیزهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 1,904
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE13_365
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1389
چکیده مقاله:
Carbon nanotube field effect transistors are most promising devices for semiconducting industry. It’s apparent that in future, silicon technology will be replaced by these devices. The channel of these devices is of carbon nanotube (CNT). As a result the CNT properties such as its chirality, that defines its diameter, play an important role in device performance. In this paper we demonstrate the channel diameter impact on tunnelling and thermionic emission current in coaxially CNTFET with doped source drain extensions. The channel is zigzag CNT with (n,0) chirality vector. From simulation results we find that in large n values of channel the tunnelling mechanism dominate by applying low gate voltage and the performance decreases consequently. But in low values, the tunnelling occurs in lower gate bias while on-current stay without any meaningful change and then performance will be better. The on-state current is due to thermionic emission on top of barrier of device.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Shaahin G. Shirazi
EE Dep., Qazvin Islamic Azad University
Sattar Mirzakuchaki
EE Dep., Iran University of Science & Technology
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :