تاثیر ثابت دی الکتریک عایق گیت بر ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی:بررسی مشخصه انتقال و خروجی

امروزه ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی به عنوان بهترین گزینه برای جایگزینی ترانزیستورهای سیلیکونی در مدارات الکترونیکی شناخته شده اند. مطالعه روشهای نوین ساخت این ادوات و چگونگی تاثیر پارامترهای ساخت افزاره از مهمترین زمینه های پژوهشی در این نوع از ترانزیستورها بوده است. یکی از عوامل تاثیر گذار بر عملکرد این افزاره، اثر ثابت دی الکتریک عایق گیت، به ویژه در ناحیه زیر آستانه معکوس و اشباع معکوس، برمشخصه ترانزیستور است. بررسی نتایج حاصل از شبیه سازی نشان می دهد که افزایش ثابتدی الکتریکعایق گیت بر شیب زیر آستانه ترانزیستور چندان تاثیر گذار نیست. اما ترارسانایی و ولتاژ آستانه ترانزیستور را تغییر می دهد. همچنین هدایت خروجی، جریان اشباع معکوس و نرخ جریان حالت روشن به خاموشبه طور چشمگیر تغییر می کنند. در این مقاله نرخ جریان در دو ولتاژ گیت ۰,۴ و ۱ ولت به عنوان ولتاژ عملکردی ترانزیستور بررسی می گردد. افزاره یک ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با گیت هم محور بوده که توسط شیوه تابع گرین غیر تعادلی شبیه سازی می گردد.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور اثر میدانی ، نانولوله کربنی ، ثابت دی الکتریک ، مشخصه انتقال ، تابع گرین غیر تعادلی