جریان نشتی حرارتی در ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی و بررسی تأثیر دما بر مشخصه افزاره

امروزه ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی به عنوان بهترین گزینه برای جایگزینی ترانزیستورهای سیلیکونی در مدارات الکترونیکی شناخته شده اند. مطالعه روشهای نوین ساخت این ادوات و چگونگی تأثیر پارامترهای ساخت افزاره از مهمترین زمینه های پژوهشی در این نوع از ترانزیستورها بوده است. جریان نشتی ترانزیستور و تأثیر آن بر مشخصه افزاره، از مهمترین مولفه ها در تخمین عملکرد این ترانزیستورها است. یکی از عوامل تأثیر گذار بر عملکرد این افزاره، که کمتر مورد توجه و بررسی قرار گرفته اثر دمای کار، به ویژه در ناحیه زیر آستانه، برمشخصه ترانزیستور است. بررسی نتایج حاصل از شبیه سازی نشان می دهد که افزایش دما بر شیب زیر آستانه ترانزیستور به شدت تأثیر گذار است در حالی که هدایت و ولتاژ آستانه ترانزیستور را دچار تغییر چندانی نمی کند. هدایت خروجی افزاره نیز نسبتاً ثابت می ماند. در این مقاله نرخ جریان حالت روشن به خاموشنیز در دو ولتاژ گیت 0,4 و 1 ولت به عنوان ولتاژ عملکردی ترانزیستور بررسی می گردد. افزاره یکترانزیستور اثر میدانینانولوله کربنی با گیت هم محور بوده که توسط شیوه تابع گرین غیر تعادلی شبیه سازی می گردد

کلیدواژه ها:

ترانزیستور اثر میدانی ، نانولوله کربنی ، ثابت دی الکتریک ، جریان نشتی ، دمای کار ، تابع گرین غیر تعادلی