بررسی تاثیر افزایش درصد مولی ژرمانیم و کاهش ضخامت لایه کلاهک سیلیسیمی بر بهبود مشخصه های الکتریکی Hetero SBMOS در ابعاد نانو
محل انتشار: سیزهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,166
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE13_153
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1389
چکیده مقاله:
دراین مقاله تاثیر پارامترهای ساختاری بر بهبود مشخصه های الکتریکی ترانزیستور PMOSFET با سورس / درین فلزی و کانال کرنش یافته Hetero SBMOS مورد مطالعه قرار گرفته است افزایش درصد مولی ژرمانیم د رکانال سیلیسیم ژرمانیم موجب افزایش جریان حالت روشن، افزایش هدایت انتقالی گیت، کاهش قدرمطلق ولتاژ آستانه کانال سیلیسیم / سیلیسیم ژرمانیم Vth و افزایش قدر مطلق ولتاژ آستانه کانال پارازیتی اکسید/ سیلیسیم Vts می شود. افزایش درصد مولی ژرمانیم تا میزان 0/3 موجب افزایش نسبت I on/I off می شود. کاهش ضخامت لایه کلاهک سیلیسیمی موجب افزایش I on کاهش جریان نشتی GIDL کاهش I off افزایش 98 درصدی نسبت I on/Ioff و افزایش هدایت انتقالی گیت gm می شود.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مریم نیری
عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
فاطمه کهنی
دانشگاه آزاد اسلامی لاهیجان
مرتضی فتحی پور
دانشکده فنی دانشگاه تهران
رضا فولادی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهرانجنوب
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :