روش جدید و سریع شبیه سازی انتقال الکترونیکی وابسته به اسپین درترانزیستورهای تک الکترونی فرومگنتیک
محل انتشار: سیزهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,039
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE13_099
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1389
چکیده مقاله:
در این مقاله برای اولین بار، شبیه سازی انتقال الکترونیکی وابسته به اسپین در یک ترانزیستور تک الکترونی مغناطیسی بوسیله یک روش کاملا جدید و سریع انجام می گیرد. در این روش معادلات مستر و حالت فضایی دوبعدی که هردو درجه آزادی اسپین و بار الکتریکی مربوط به ذره را شامل می شود، لحاظ گردیده است. نتایج شبیه سازی در حالت های گوناگون برای ترانزیستور ها با ابعاد متفاوت و سورس و درین با پلاریزه های مختلف در تانل زنی پی در پی نشان داده شده است.علاوه بر دقت نتایج، اختلاف جریان در دو مد کاری این ترانزیستور ها نیز بررسی شده است
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سمیه عسگری
دانشگاه صنعتی شریف
رحیم فائز
دانشگاه صنعتی شریف
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :