افزایش خنک کاری هیتسینک های آلومینیومی در صنایع الکترونیک با استفاده ازروش قابل انجام در مقیاس صنعتی

در پژوهش حاضر، یک روش مبتکرانه و کم هزینه برایایجاد سطح زبرشده ی میکروساختار بر روی هیتسینک آلومینیومی به منظور افزایش قابلیت خنک کاری آن، پیشنهاد شد. برایاین منظور، دو نمونه ی هیتسینک معمولی و زبرشده را در گرمایی معادل گرمای تولیدی یک پردازشگر Core i7-3770T آزمایش شدند. بدین منظور، شارهای حرارتی 8000W/m، 1000W/m2 و 12000W/m2 انتخاب گردید. مشخص شد که دمای هیتسینک زبر برای شارهای حرارتی مذکور به ترتیب 6/7ºC، 7/0ºC و 7/3ºC کمتر از دمای هیتسینک معمولی میباشد. این بدین معناست که مقاومت حرارتی هیتسینک زبر شده نسبت به هیتسینک صاف به ترتیب 23/3%، 26/3% و 22/9% کاهش پیدا کرده است. به عبارت دیگر درصورت استفاده از هیتسینک زبر در شارهای مذکور درحدود 15% بهبود خنک کاری هیتسینک مشاهده میشود. همچنین میکروزبریهای ایجاد شده در سطح به کمک میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) مشاهده گردید.

کلیدواژه ها:

خنک کاری ، هیتسینک ، انتقال حرارت ، شار حرارتی.