بهبود خطسانی در تقویت کننده های CMOS کلاس AB با روش حذف خازن غیر خطی

این مقاله از نتایج یک طرح پژوهشی بعنوان تقویت کننده های توان CMOS برای مخابرت بی سیم در دانشگاه آزاد اسلامی- واحد بوشهر گرفتهشده است. در این مقاله یک روش حذف غیر خطی برای تقویت کننده های کلاس AB توسعه داده شده است. این روش از یک ترانزیستور PMOS درورودی تقویت کننده استفاده می کند تا تغییرات خازن ورودی را حذف کند و بدین وسیله خطسانی کلی تقویت کننده افزایش می یابد. یک تقویت کنندهتوان CMOS از نوع RF با این روش طراحی و با استفاده از تکنولوژی 35 / 0 میکرون CMOS در محیط نرم افزار HSPICE شبیه سازی شد. تقویتکننده یک طیقه نمونه، دارای کارایی درین اندازه گیری شده 40% و بهره توان 7dB در فرکانس 1.9Ghz است. اندازه گیری خطسانی نشان داد کهتقویت کننده جدید دارای بهبود (IM(3 بالای 10dB و بهبود ACPR حدود 6Bd در مقایسه با تقویت کننده های توان کلاس NMOS AB معمولیبوده است.

کلیدواژه ها:

خطسانی ، حذف خازن غیر خطی