شبیهسازی افزاره PMOS ناهمگون در مقیاس نانو
محل انتشار: اولین همایش منطقه ای مهندسی برق
سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,054
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
YAZDEEC01_057
تاریخ نمایه سازی: 7 تیر 1389
چکیده مقاله:
افزایش کارایی در ماسفت ها با کوچک کردن ابعاد افزاره حاصل می شود با وجود مزیت های کوچک سازی یان روش با با محدودیتهای فیزیکی و اقتصادی روبروست در نتیجه راه حلهای جدیدی پیشنهاد می شود کاربرد ساختار کرنش دار سیلیسیم /سیلیسیم ژرمانیم درناحیه کانال ترانزیستور ماسفت، با افزایش در قابلیت حرکت حاملها و در نتیجه افزایش جریان حالت روشنی باعث افزایش کارایی حتی در طول کانال بسیار کوچک می شود درانی مقاله ترانزیستور ماسفت با سورس / درین اکنال کرنش یافته مورد مطالعه و شبیه سازی قرار می گیرد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مریم نیری
عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
فاطمه کهنی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد لاهیجان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :