طراحی مقایسه کننده برای تقویت کننده پوش در روش ET برای تقویت کننده توان وایمکس

تقویت کننده توان یکی از بخش های مهم هر سیستم مخابراتی می باشد و بخش عظیمی از هزینه های طراحی و ساخت را به خود اختصاص می دهد. از آنجا که بخش اعظم توان در یک تراشه فرستنده – گیرنده در تقویت کننده توان مصرف می شود با پیشرفت سیستم های مخابراتی قابل حمل، وجود تقویت کننده توان با راندمان بالا ضروری است. به دلیل استفاده وایمکس در سیستمهای قابل حمل و نقل، کاهش تلفات توان در اینگونه مدارات به یک عامل بسیار مهم تبدیل شده است و همه تلاشها در حین طراحی جهت کاهش آن می باشد، از اینرو نیاز به ارائه مداراتی جایگزین، با توان کمتر امری بدیهی میباشد. در این مقاله طراحی یک مقایسه کننده جهت برآورده کردن ملزومات اولیه در روش ET1 برای تقویت کننده توان WiMAX2 ارائه شده است.با توجه به اینکه تقویت کننده پوش از دو بخش کلی تشکیل شده :-1 بخش خطی -2بخش سویچینگ مقایسه کننده که در بخش سویچینگ میباشد یکی از مداراتی میباشد که باید تاخیرکم و خاصیت هیسترزیس داشته باشد، برآنیم تامداری با در نظر گرفتن فاکتور سرعت و مصالحه ای بین آنها، توان آن را کاهش دهیم.در نهایت، پیشنهادی در راستای کاهش توان مدار ارایه می کنیم و خواهیم دید که مدار ارایه شده جهت نوآوری، به ازای ورودی سینوسی تاخیر انتشار 5,9 نانو ثانیه و متوسط توان 184 میکرو وات درمقابل دیگر طراحی ها برای این کاربرد، که دارای تاخیر انتشار بیشتر و متوسط توان بیشتری میباشند، را دارا میباشد. شبیه سازی مدار در تکنولوژی 0.18 µm توسط نرم افزار قدرتمند HSPICERF انجام شده است.

کلیدواژه ها:

تکنولوژی 180 نانو ، تقویت کننده پوش ، تاخیر انتشار ، ET ، Wimax