تاثیر شیب تغییرات کسرمولی Ge در لایه آلایش شده ساختارهای واهمگون SiGe بر تحرک گاز الکترون دو بعدی 2DEG

در این تحقیق به مطالعه نظری داده های تجربی وابستگی دمایی تحرک گاز الکترون دو بعدی )2DEG( در نمونه های با ساختار ناهمگون Si/SiGe، که عمدتا در شیب تغییرات کسر مولی Ge در لایه آلایش شده متفاوت اند پرداخته ایم. محاسبات ما بر مبنای سازوکار های پراکندگی حامل ها و مبتنی بر قاعده ماتیسن می باشد. نتایج گزارش شده حاکی از آن است که نمونه ی با لایه آلایشی با کسر مولی ثابت Ge از کمترین تحرک الکترونی و نمونه ای با تغییرات شیبدار خطی µm-1 ٪ 10 از بیشترین تحرک در دماهای پایین برخوردار است. دریافتیم دلیل این امر می تواند ناشی از تاثیر تراکم ناخالصی های یونیده بار فصل مشترک ناشی از ناهماهنگی در ثابت های شبکه ای در محل تماس لایه ها باشد.