بررسی نظری تاثیر ضخامت لایه آلایش شده بر خواص ترابری الکتریکی گاز الکترون دو بعدی در ساختار ناهمگون Si/SiGe

در این تحقیق به مطالعه نظری داده های تجربی وابستگی دمایی تراکم و تحرک گاز الکترون دو بعدی (2DEG) در نمونه های Si/SiGe، که در مقدار ضخامت لایه آلایش یافته متفاوتند، بر مبنای سازوکار های پراکندگی حامل ها پرداخته ایم. نتایج حاکی از غالب بودن پراکندگی فونونی در محدوده دماهای بالا است اما در دماهای پایین معلوم شد که کنترل تحرک الکترونی عمدتا به عهده ناخالصی های یونیده بار فصل مشترک بوده و این تاثیر پذیری با توجه به تراکم ناخالصی ها در نمونه ی با لایه آلاییده ضخیم تر در حدود 2 برابر بیشتر از نمونه ی با لایه آلاییده باریک تر است.