بهبود ولتاژ شکست افزاره های با قابلیت تحرک الکترونی بالا مبتنی بر گالیوم نیترید با بهینه سازی غلظت آلایش لایه p ایجاد شده در لایه حایل

نیمه هادی های مبتنی بر گالیوم نیترید که دارای شکاف باند زیادی می باشند ویژگی های الکترونیکی خاصی همچون قابلیت تحرک بالا، میدان الکتریکی شکست بالاو سرعت اشباع بالا را از خود نشان می دهند. ترکیب بی نظیری از میدان الکتریکی شکست بحرانی بالای آنها و قابلیت تحرک الکترون بالا سبب شده ترانزیستورهای با قابلیت تحرک الکترونی بالا مبتنی بر گالیوم نیترید جهت کاربردهای توان بالا، فرکانس بالا و نویز پایین بسیار نوید بخش باشند. یکی از پارامترهای بسیار مهم در افزاره های توان بالا ولتاژ شکست آن می باشد. در این مقاله ما اثر تغییر غلظت آلایش ناخالصی های پذیرنده را در لایه p ایجاد شده درلایه حایل جهت کاهش پیک میدان الکتریکی در لبه گیت سمت درین و در نتیجه بهبود ولتاژ شکست را بررسی کرده ایم. همانطور که نتایج شبیه سازی نشان می دهد تکنیک پیشنهادی موجب بهبود 62 درصدی ولتاژ شکست افزاره و کاهش خازن گیت درین می شود.

کلیدواژه ها:

گالیوم نیترید ، خازن گیت درین ، لایه حایل ، میدان الکتریکی ، ولتاژ شکست.