نشاندار کردن اکسیدگرافین با نانوذرات اکسیدتنگستن

نانوذرات اکسیدتنگستن با استفاده از روش قوس الکتریکی در حضور محلول اکسیدگرافین در دو جریان قوس متفاوت تولید شدند. نمونه های آماده شده به وسیله میکروسکوپ الکترون عبوری ) TEM (، طیف سنجی تبدیل فوریه مادون قرمز ) FTIR (، پلاسمای جفت شده القایی ( ICP ( و طیفنگاری فرابنفش مرئی ) - UV-Vis ( مشخصه یابی گردیدند. نتایج نشان داد که با استفاده از روش قوس الکتریکی، اکسیدگرافین با نانوذرات اکسیدتنگستن نشاندار شده و پیوند شیمیایی بین اکسیدگرافین و نانوذرات اکسیدتنگستن شکل گرفته است. میانگین اندازه نانوذرات تنگستن بر روی لایه های اکسیدگرافین در حدود 25 نانومتر است.