تحلیل عددی میدان سرعت و دمای نانوسیال غیر نیوتونی مغناطیسی تحت میدان مغناطیسی یکنواخت و غیریکنواخت

در این مقاله، انتقال حرارت و رژیم جریان یک نانوسیال غیرنیوتونی درون لوله ای با سطح مقطع دایره ای که تحت میدان مغناطیسی یکنواخت و غیریکنواخت قرار دارد، به صورت عددی مورد بررسی قرار گرفته است. در نانوسیال استفاده شده، محلول آبی کربوکسی متیل سلولوز (CMC) به عنوان سیال پایه غیر نیوتونی در نظر گرفته شده و نانوذره Cu0 به آن اضافه شده است. رفتار غیرنیوتونی نانوسیال توسط قانون توانی مدل سازی می گردد. پارامترهای شاخص پایداری و شاخص قانون توانی این مدل از رئولوژی موجود در نتایج تجربی استخراج شده است. از دو هندسه مختلف برای اعمال میدان های مغناطیسی یکنواخت و غیریکنواخت استفاده شده است. در حالت اعمال میدان مغناطیسی یکنواخت برای مشاهده تغییرات دما شار گرمایی ثابتی به آن اعمال شده است. مقادیر هدایت الکتریکی نانوسیال نیز از نتایج تجربی به دست آمده است. تاثیر کسر حجمی، شدت میدان مغناطیسی و عدد رینولدز بر روی نمودارهای دما و سرعت مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان می دهد که اعمال میدان مغناطیسی یکنواخت بر روی میدان سرعت و میدان مغناطیسی غیریکنواخت بر روی میدان دما تاثیرگذار است. در حضور نانوسیال با کسر حجمی 4. بیشترین کاهش سرعت با اعمال میدان مغناطیسی یکنواخت 36 درصد و افزایش دما در حالت اعمال میدان مغناطیسی غیریکنواخت 40 درصد می باشد. همچنین افزایش کسر حجمی نانوسیال، افزایش دما را در پی دارد