بررسی ازمایشگاهی اثر پارامترهای موثر بر خنک سازی قطعات الکترونیکی به کمک هیت سینک فن جریان سیال

در پژوهش حاضر، سه روش مختلف خنک کاری برای یک تراشه الکترونیکی، با استفاده از هیت سینک، جریان سیال و فن در شرایط آزمایشی گوناگون انجام شده است تا بهبود عملکرد حرارتی قطعات الکترونیکی مورد بررسی قرار گرفته و پارامترهای مهم و موثر در هر روش، شناسایی و بهینه گردد. دمای هیت سینک با تغییر پارامترهای شار حرارتی، دبی جریان سیال و دمای محیط مقایسه و تحلیل شده است. سیال خنک کننده آب خالص دیونیزه می باشد. با هدف بررسی تاثیر افزایش شار، چهار آزمایش در شارهای تولیدی 1000، 2000، 3000، 4000 وات بر متر مربع، انجام شده است. آزمایش های خنک کاری در دماهای محیط 28، 33، 38 و 43 درجه سانتی گراد و در شارهای مختلف، برای خنک سازی با فن انجام شده است. هم چنین به منظور بررسی اثر دبی خنک کننده سیال، دبی های حجمی 200، 400، 600 و 800 میلی لیتر بر دقیقه مورد بررسی قرار گرفته اند. با توجه به نتایج بدست آمده هر 5 درجه سانتی گراد افزایش در دمای محیط 2 تا 3 درجه دمای پایدار سطح تراشه را افزایش میدهد.