بهبود اثر خودگرمایی AlGaN/GaN HEMT با استفاده از گیت U شکل و فلز در اکسید مدفون

در این مقاله تاثیر اثر خودگرمایی بر مشخصه جریان-ولتاژ درین افزاره AlGaN/GaN HEMT مورد بررسی قرار گرفته است. اثر خودگرمایی با میدان الکتریکی رابطه مستقیم دارد، و افزایش آن باعث کاهش جریان-ولتاژ درین می شود. ایده ی به کار رفته در این پژوهش استفاده از حالت فرورفتگی گیت به شکل U و استفاده از فلز برای جذب خطوط میدان در بستر میباشد. در این مقاله نشان داده شده است که این ایده باعث بهبود چشمگیری در افزایش جریان– ولتاژ درین می شود. چگونگی تاثیر این ایده بر رفتار گرمایی افزاره AlGaN/GaN HEMT بیان گردیده است.

کلیدواژه ها:

ترانزیستورهای با قابلیت تحرک الکترونی بالا ، اثر خودگرمایی ، میدان الکتریکی ، فرو رفتگی گیت ، جریان-ولتاژ درین