طراحی یک مدار XOR-XNOR کم مصرف مقاوم در برابر نویز

  با توجه به نقش اصلی گیت­های XNOR-XOR و با توجه به این که مدارهای بلوک­های ساختاری، پایه مدارهای محاسباتی بسیاری، از جمله ضرب­کننده­ها، تمام جمع­کننده­ها، مقایسه­گرها و دیگر مدارها هستند، روش­های جدید برای این مدارها به منظور بهبود دادن سرعت و توان پیشنهاد شده است. با کاهش مقیاس به فناوری زیرمیکرون (Deep Submicron) امنیت نویز یک پارامتر هم اهمیت با توان، سرعت و فضا شده است. در این مقاله عملکرد مدارات XOR-XNOR گوناگونی مقایسه شده و یک گیت XOR-XNOR توان پایین و مقاوم در برابر نویز با 10 ترانزیستور طراحی و ارائه شده است. در پدافند غیرعامل مقاومت در برابر اختلال­های الکترومغناطیسی که به صورت نویز در مدارهای الکترونیکی ظاهر می­شود، بسیار حائز اهمیت است. بنابراین افزایش مقاومت در برابر نویز به محافظت مدارها در مقابله با اختلال­های الکترومغناطیسی کمک خواهد کرد. نتیجه­های شبیه­سازی در فناوری (µm) 18/0 در نرم­افزار HSPICE و در تمام رنج ولتاژهای تغذیه ازV)) 6/0 تا (V) 3/3 نشان می­دهد که مدار پیشنهادی توان مصرفی پایین­تر، PDP بهتر و مصونیت نویز مناسبی نسبت به آخرین مدارهای XOR-XNOR گزارش شده را داراست.

کلیدواژه ها:

گیت XOR-XNOR ، حاصل ضرب توان-تاخیر (PDP) ، مصونیت در برابر نویز