طراحی و شبیه سازی تقویت کننده توان در باند X با استفاده از ترانسفورماتور

در این مقاله طراحی تحلیل تقویت کننده توان با استفاده از فناوری CMOS؛ 0.18um- مربوط به شرکت TSMC انجام می شود. مدار پیشنهادی به صورت چند طبقه ترانزیستوری با روش تفاضلی در حالت کسکود به صورت ترکیبی با اتصال ترانسفورمر طراحی شده است که در باند فرکانسی X (8-12GHz) عملکرد مناسبی دارد. این مدار با هدف افزایش تقویت سیگنال در پهنای باند X طراحی شده است که کمیت های وابسته آن نیز همچون پایدای، عدد نویز، توان مصرفی کم و تطبیق امپدانسی و بالانس فرکانسی بهبود بخشیده شده است.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده توان ، تقویت کننده با ترانسفورماتور ، تقویت کننده با توان خروجی بالا ، تقویت کننده توان در باند X