اثر تابع کار فلزات مختلف گیت بر روی ترانزیستورهای FinFET
سال انتشار: 1398
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 545
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF06_198
تاریخ نمایه سازی: 24 شهریور 1398
چکیده مقاله:
با پیشرفت تکنولوژی و نیاز به کوچک سازی هر چه بیشتر ترانزیستورهای ماسفت برای افزایش کارایی در مدارهای مجتمع، آثاری مخرب و منفی در مشخصات الکتریک و قابلیت اطمینان این ترانزیستورها بوجود می آید که به آثار کانال کوتاه معروف اند. این آثار مخرب غالبا به علت کاهش قابلیت کنترل کنندگی گیت بر ناحیه کانال بوجود می آید. در این مقاله ساختار جدیدی به نام ترانزیستور FinFET به صورت سیلیسیم روی عایق سه گیت ارائه شده است تا باا افزایش قابلیت کنترل کنندگی گیت باعث کاهش اثر کانال کوتاه در این نوع ترانزیستورها می شود.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
حامد حبیبی
فارغ التحصیل مقطع کارشناسی دانشگاه صنعتی همدان