مطالعه عددی تاثیر میدان مغناطیسی بر جابجایی طبیعی در محفظه با نانوسیال آب-اکسید مس با استفاده از مدل براونی

دراین مقاله نتایج مطالعه عددی جابجایی طبیعی نانوسیال آب اکسیدمس درون یک محفظه مربعی ارائه شده است. یک میدان مغناطیسی به صورت خارجی و در زوایای مختلف اعمال شده است. دیواره بالا در دمای Tc ، دیواره پایین در دمای Th و دو دیواره عمودی عایق فرض شده است.معادلات اصلی که جریان حاصل از جابجایی طبیعی را توصیف می کنند شامل بقای جرم، مومنتوم و انرژی می شود که این معادلات توسط روش حجم محدود به صورت عددی حل شده اند. شبیه سازی عددی توسط برنامه کامپیوتری انجام شده است. برای ویسکوزیته وهدایت گرمایی نانوسیال آب اکسید مس از مدل حرکت براونی استفاده شده است. تاثیر تغییرات عدد گراشف، کسر حجمی نانوسیال، شدت و جهت میدان مغناطیسی اعمال شده بر روی مشخصات جریان جابجایی آزاد نانوسیال درون محفظه بررسی شده است. نتایج در سه مقدار Gr=10(4),10(5),10(6) برای بررسی تاثیر عدد گراشف، دو مقدار 0/04 و 0/02 Φ برای کسر حجمی، سه مقدار (فرمول در متن اصلی مقاله) برای زاویه میدان نسبت به راستای افقی و محدوده ی وسیعی از عدد هارتمن Ha=0-100 و به صورت کانتورهای جریان و همدما و مقادیر ناسلت متوسط ارائه شده است. نتایج نشان می دهد که میدان مغناطیسی و جهت آن اثرات گسترده ای روی جریان وانتقال حرارت نانوسیال در محفظه دارد.

کلیدواژه های مطالعه عددی تاثیر میدان مغناطیسی بر جابجایی طبیعی در محفظه با نانوسیال آب-اکسید مس با استفاده از مدل براونی:

روش حجم محدود ، جابجایی طبییعی ، عدد هارتمن ، نانوسیال ، مدل حرکت براونی