لایه گذاری فیلم نازک AIN بر زیرلایه (Si(111 به عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثرمیدانی
سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 397
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ECCIRD02_021
تاریخ نمایه سازی: 8 تیر 1398
چکیده مقاله:
فیلمی از نیترید آلومینیوم را در دمای محیط و در شرایط فشار بسیار پایین بر زیرلایه ی سیلیکون (111) رشد داده و این فیلم در دماهای مختلف باز پختگردید. ساختار این فیلم نازک با استفاده از تکنیک های مختلف از جمله AES و XRD بررسی شد. بررسی ساختار پیوندی توده فیلم AIN و زیرلایه مشترک نشان میدهد که ساختار موجود آمورف بوده و در کنار ویژگی هایی نظیر ثابت دی الکتریک بالا و پایداری گرمایی، می تواند در کاهش مشکلات گیتاکسید سیلیکون در نانو ترانزیستورها مناسب باشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
جواد بهادررضاآبادی
گروه برق موسسه آموزش عالی وحدت، تربت جام، ایران
محمد گرجی
مرکزتحقیقات لیزر و اپتیک دانشگاه جامع امام حسین (ع)، تهران، ایران
وحید بهادررضاآبادی
گروه برق موسسه آموزش عالی وحدت، تربت جام، ایران